GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體 簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議

GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，總價(jià)值可達(dá)5,000萬(wàn)美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。

GTAT總裁兼首席執(zhí)行官Greg Knight說(shuō)：“我們很高興與安森美半導(dǎo)體合作，該公司是提供電力電子應(yīng)用的先進(jìn)半導(dǎo)體公認(rèn)全球領(lǐng)袖之一。我們今天的協(xié)議有助于解決SiC作為電力電子應(yīng)用首選半導(dǎo)體基板材料的陡峭增長(zhǎng)軌跡。”

安森美半導(dǎo)體全球供應(yīng)鏈高級(jí)副總裁Brent Wilson說(shuō)：“安森美半導(dǎo)體在大批量晶圓生產(chǎn)的40年經(jīng)驗(yàn)結(jié)合GTAT在SiC晶體增長(zhǎng)的專知及迅速發(fā)展，將創(chuàng)建一個(gè)強(qiáng)固、可擴(kuò)展的供應(yīng)鏈，支持活躍的大功率寬禁帶市場(chǎng)。我們很高興與GTAT合作，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)SiC寬禁帶材料技術(shù)，并增強(qiáng)我們?cè)谶@快速發(fā)展領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。”

高增長(zhǎng)應(yīng)用如電動(dòng)汽車（EV）牽引系統(tǒng)、混合動(dòng)力和插電式EV、太陽(yáng)能和能源存儲(chǔ)，以及EV充電等都需要并且依賴于高質(zhì)量、具成本競(jìng)爭(zhēng)力的SiC材料的穩(wěn)定供應(yīng)。安森美半導(dǎo)體將使用GTAT專有的150mm SiC晶體來(lái)制造SiC晶圓，以進(jìn)一步加速成為SiC供應(yīng)鏈中的垂直集成供應(yīng)商，并維持其世界級(jí)的供應(yīng)。該協(xié)議將促進(jìn)領(lǐng)先業(yè)界的SiC的供應(yīng)，以幫助工程師解決最獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。