- 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據各大咨詢機構統計，碳化硅在電源的功率因數校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
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安森美 SiC 碳化硅
- 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
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MOSFET 碳化硅 UPS
- 2020年2月，碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的？下一步產品計劃如何？碳化硅業的難點在哪里？為此，電子產品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統事業部大中華區 開關電源應用高級市場經理 陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
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MOSEFT 碳化硅 SMD
- 王? 瑩? （《電子產品世界》編輯）近期，多家公司發布了碳化硅 （SiC）方面的新產品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優勢，現在的發展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統事 業部大中華區開關電源應用高級市 場經理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續模 式
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202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
- GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor），宣布執行一項為期五年的協議，總價值可達5,000萬美元。根據該協議，GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應用。
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GT Advanced Technologies 安森美 碳化硅
- 電力電子器件的發展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經有越來越多的半導體企業開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
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碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
- 近日，羅姆和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領先的龍頭企業。協議規定， SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應協
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碳化硅 晶圓
- 半導體硅晶圓大廠環球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經濟及匯率三大變數干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫，以及應用擴大等來看，硅晶圓產業已在本季落底，明年上半年整體景氣動能升溫速度優于預期，她預估環球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
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環球晶圓 硅晶圓 碳化硅
- 近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動器，幫助高壓/大功率系統設計者將電源效率提升4%，優于競爭產品；功耗和碳排放減少30%。驅動器IC優化用于工業通信系統的開關電源，典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅動、電動汽車、儲能系統、不間斷電源、數據農場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關頻率的瞬態特性會產生較大噪聲，影響系統的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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碳化硅 柵極驅動器
- 近日， 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現金支付。
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意法半導體 碳化硅 Norstel AB
- 全球碳化硅（SiC）技術領先企業科銳與ABB電網事業部宣布達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協議內容包括在ABB種類齊全的產品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。
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- 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源，核心功能的實現都離不開電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發碳化硅半導體制備技術。近日，記者在區內企業世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現小批量試產，研發的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域，實現第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
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- 近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態控制技術。?
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- 日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業新一輪變革的突破口。 2018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領域研發支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等積極因素，國內第三代半導體產業穩步發展。但是，在材料指標、器件性能等方
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半導體 碳化硅
- 最近，由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
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