- 在半導體行業的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導體價值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產能，并且在未來的五年里，它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業的投資并購動作中也可窺見一二。國內上半年融資創三年之最2021 年有多家碳化硅企業獲得了投資機構的青睞，相繼宣布完成融資，行業內也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數量達到 15 起。2022 年也是碳化
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碳化硅
- 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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- 全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠大的清潔能源目標和政府政策的驅動下，太陽能、電動汽車 (EV) 基礎設施和儲能領域不斷加快采用可再生能源?？稍偕茉吹闹饾u普及也為在工業、商業和住宅應用中部署功率轉換系統提供了更多機會。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設計人員平衡四大性能指標：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統基于 IGBT 的電源應用在可再生能源系統中的優
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- 碳化硅（SiC）技術具有比傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發展趨勢與在儲能系統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲能系統成本與提升效率的SiC技術當前的SiC技術已經相當成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業應用范圍中，影響了能源、工業和汽車等眾多領域。由于SiC器件運作時的溫度較低，及較小的
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- ·? ?意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規模量產·? ?該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業電力和能源等應用對意法半導體 SiC器件日益增長的需求·? ?三安光電還將單獨建造一個8英寸 SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求?2023年6月7日，中國 -- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：ST
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- ?·?????? 緯湃科技正在鎖定價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產能投資，獲得這一關鍵的半導體技術，以實現電氣化的強勁增長·?????? 除了產能投資外，兩家公司還將在進一步優化主驅逆變器系統方面達成合作?2023年
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- 近日，中國電科55所牽頭研發的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創新性顯著，總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業鏈量產平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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- 近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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- 近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發揮出了其高效率高功率密度的優點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問題，作為功率半導體的領頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協議推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，保
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- 2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學與智能電源和智能感知技術的領先企業安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項總額達 800 萬美元的戰略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學材料研究所 (MRI) 開設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學領導團隊慶祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開展總額達 800 萬美元的戰略合作，其中包
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- 4月24日，基本半導體車規級碳化硅芯片產線通線儀式在深圳市光明區舉行。此次車規級碳化硅芯片產線的成功通線，是基本半導體打造國產碳化硅功率器件IDM領先企業的一大重要戰略布局。據官微介紹，基本半導體車規級碳化硅芯片產線項目獲得國家工信部的產業專項支持，并連續兩年入選深圳市年度重大項目，廠區面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業設備，主要產品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。項目通過打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
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- 近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產業化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產能力實現大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關鍵材料。電科材料持續布局第三代半導體外延材料研發生產，實現一系列技術突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發。同時，積極與國產設備廠商合作開發生產裝備，推動碳化硅核心裝備國產化。未來，電科材料將持續創新突破，推出更多高端碳化硅材料產品。
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- 大家應該還記得，當遭受國補退坡重創的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開始走出國補退坡的陰影時，市面上開始出現了一些在性能上追平甚至超越傳統燃油車的電動汽車，當時的電動車市場呈現出來的是典型的啞鈴型結構：便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型（包括部分B級車和C級車）賣得很好，但在10-30萬的主流區間，電動車企的表現一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺，歷時五年的時間，A00車已經達到了90%以上的滲透率。這兩年來，市場格局風云變幻，正如歐
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