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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅!

        碳化硅! 文章 最新資訊

        更高效的半導體材料——碳化硅

        • 在功率電子學中,半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長,風能和太陽能等可持續能源供應變得越來越重要。然而,電力通常遠離消費者產生。因此,高效的配電和運輸系統與將產生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節省大筆開支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術。然而,在硅上使
        • 關鍵字: 碳化硅  

        安森美為20歲慶生,“高能效電子創新”顯示旺盛活力

        • 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時,安森美只是一家年營業額12億美元的標準半導體供應商,2018年已達到年營收近60億美元,轉型成為領先的高能效創新的半導體方案供應商。過去的20年,是半導體技術飛躍發展的20年,也是并購重組頻繁的20年,很多中小公司在并購浪潮中淹沒了,而安森美卻逐漸壯大,形成了自己的特色和穩定的市場。安森美的成功經驗是什么?如今的特色和對未來的觀察是什么?近日,安森美半導體戰略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產品世界等媒體的采訪。1 靠創新
        • 關鍵字: 汽車  傳感器  碳化硅  云電源  

        華為出手第三代半導體材料 性能實現千倍提升

        • 華為出資7億元全資控股,剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業。
        • 關鍵字: 華為  半導體  碳化硅  

        CISSOID發布最新工業和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創新成果

        • 中國北京,2019年7月16日–各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上,發表題為“一種用于工業和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文,并介紹公司在該領域的最新研究開發成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發表該文章。當今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業應用方面,越來越多的人則
        • 關鍵字: CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅動器  

        Cree將投資10億美元,擴大SiC(碳化硅)產能

        • 此次產能擴大,將帶來SiC(碳化硅)晶圓制造產能的30倍增長和SiC(碳化硅)材料生產的30倍增長,以滿足2024年之前的預期市場增長 5年的投資,充分利用現有的建筑設施North Fab,并整新200mm設備,建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產工廠 投資:4.5億美元用于North Fab;4.5億美元用于材料超級工廠(mega factory);1億美元用于伴隨著業務增長所需要的其它投入
        • 關鍵字: 碳化硅  碳化硅基氮化鎵  工廠  

        碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發

        • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
        • 關鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

        國內碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功,5G芯片國產化再進一步

        • 據業內人士透露,作為蕪湖大院大所合作的重點項目,國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功,打破國外壟斷。這標志著今后國內各大芯片企業生產5G通信芯片,有望用上國產材料。
        • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  5G  

        碳化硅VS氮化鎵,寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現彎道超車?

        • 在現實世界中,沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷,但是你每天用的電腦,手機以及電視等等,都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說,今天我們來說一下半導體產業中一個很關鍵的組成部分,那就是半導體材料。
        • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  

        重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半導體參加第二屆國際電力電子技術與應用會議

        •   11月4-7日,由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導體作為本次大會的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產品,反響熱烈。  作為全球性的電力電子行業盛會,IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來自31個國家和地區的電力電子學術界和產業界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞,美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授,中國工程院院
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

        •   10月31日-11月2日,第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行。基本半導體亮相深圳坪山第三代半導體產業園展區,展示公司自主研發的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產品。  中國電子展是電子行業的年度盛會,集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯網、汽車電子等產業,傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產品應用端的全產業鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業化,電子技術促進產業升級”為主題,共有40000余名買家和專業觀眾觀展,共同打造了一場電子行業年度盛會。 
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術研討會

        •   11月5日,在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間,來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體,參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會。  出席會議的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向,
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”

        •   近日,從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊,基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果,獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”。  深圳市人才伯樂獎是由深圳市政府設立,旨在鼓勵企事業單位、人才中介組織等引進和舉薦人才,以增強企業科技創新能力,提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵。  基本半導體是第三代半導體領域的高新技術企業,從創立之初就非常重視人才的引進和培養。作為一家由海歸博士創立的公司,基本半導體依托廣泛的海外資源,成功引進了來自英
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        半導體發展經歷三代變革 推動社會發展

        • 第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一,是戰略性新興產業的重要組成內容。
        • 關鍵字: 半導體  氮化鎵  碳化硅  

        CISSOID和泰科天潤(GPT)達成戰略合作協議, 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用

        •   高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達成戰略合作伙伴關系,將共同開展研發項目,推動碳化硅功率器件在工業各領域尤其是新能源汽車領域實現廣泛應用。  CISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協議  泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業,也是支撐高端制造業的新興力量。CISSOID公司來自比利時,是高溫半導體解決方案的領導者,專為極端溫
        • 關鍵字: CISSOID  碳化硅  

        碳化硅/氮化鎵組件進入商品化 電力電子產業迎來大革命

        • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
        • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  
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