- 此次產能擴大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產的30倍增長，以滿足2024年之前的預期市場增長
5年的投資，充分利用現有的建筑設施North Fab，并整新200mm設備，建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產工廠
投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業務增長所需要的其它投入
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碳化硅 碳化硅基氮化鎵 工廠
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
- 據業內人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標志著今后國內各大芯片企業生產5G通信芯片，有望用上國產材料。
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碳化硅 氮化鎵 5G
- 在現實世界中，沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導體產業中一個很關鍵的組成部分，那就是半導體材料。
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碳化硅 氮化鎵
- 11月4-7日，由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC
2018)在深圳隆重舉行。基本半導體作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產品，反響熱烈。 作為全球性的電力電子行業盛會，IEEE PEAC
2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區的電力電子學術界和產業界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
- 10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行。基本半導體亮相深圳坪山第三代半導體產業園展區，展示公司自主研發的碳化硅
MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產品。 中國電子展是電子行業的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯網、汽車電子等產業，傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產品應用端的全產業鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業化，電子技術促進產業升級”為主題，共有40000余名買家和專業觀眾觀展，共同打造了一場電子行業年度盛會。
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
- 11月5日，在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會。 出席會議的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum
Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向，
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- 近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”。 深圳市人才伯樂獎是由深圳市政府設立，旨在鼓勵企事業單位、人才中介組織等引進和舉薦人才，以增強企業科技創新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵。 基本半導體是第三代半導體領域的高新技術企業，從創立之初就非常重視人才的引進和培養。作為一家由海歸博士創立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進了來自英
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- 第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰略性新興產業的重要組成內容。
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半導體 氮化鎵 碳化硅
- 高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關系，將共同開展研發項目，推動碳化硅功率器件在工業各領域尤其是新能源汽車領域實現廣泛應用。 CISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業，也是支撐高端制造業的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
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CISSOID 碳化硅
- LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
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碳化硅 氮化鎵
- 4月9日上午，國家集成電路產業投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。 基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發的碳化硅功率器件產品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片。 隨后丁文武一行聽取了基本半導體總經理和巍巍博士對公司發展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創新和戰略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創新驅動，不斷發展壯大，成為中國第三代半導體產業的領軍企業。 國家集成電路產業投資基金是為促進集
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基本半導體 碳化硅 功率芯片 集成電路
- 雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現存的IGBT或MOSFET都能在其有優勢的領域中共同發揮所長，共生共棲。
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瑞薩，碳化硅
- 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、基本半導體和南方科技大學等單位發起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產業發展產生深遠影響。 科技部原副部長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會副主任、深圳第三代半
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青銅劍科技 半導體 碳化硅 功率器件
- 碳化硅電力電子器件的發展現狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現產業化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產品。
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碳化硅
碳化硅！介紹
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