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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅!

        碳化硅風頭正勁,小心!氧化鎵蓄勢待發(fā)

        • 近期,媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉,進化半導體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè),創(chuàng)立于2021年5月,專注于以創(chuàng)新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前,鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求,半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料,發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
        • 關鍵字: 碳化硅  氧化鎵  

        汽車結構性缺芯 國產碳化硅功率半導體有望四季度“上車”

        • 4月7日,中國汽車芯片產業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導體分會在長沙成立,將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間,第一財經記者獲悉,汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會,降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵;三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。  汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會  有行業(yè)專家向第一財經記者表示,一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體,功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經記者
        • 關鍵字: 汽車電子  功率半導體  碳化硅  

        Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

        • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用,對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作,同時維持低導
        • 關鍵字: Diodes  碳化硅 MOSFET  

        貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

        • 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM),以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經過優(yōu)化,可為能源基礎設施和工業(yè)驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV),1700V NTH4L028N170M1
        • 關鍵字: 貿澤  安森美  EliteSiC  碳化硅  

        TechInsights:2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元,中國占一半

        • IT之家?3 月 22 日消息,TechInsights(前 Strategy Analytics)今日發(fā)布報告稱,隨著電池電動汽車的發(fā)展,汽車半導體的需求激增,寬帶隙技術的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示,碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復合年增長率從 12 億美元(IT之家注:當前約 82.44 億元人民幣)增長到 53 億美元(當前約 364.11
        • 關鍵字: 碳化硅  

        碳化硅快充時代來臨,800V高壓超充開始普及!

        • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實現(xiàn)了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si(硅)早已
        • 關鍵字: 碳化硅  SiC  

        安森美的碳化硅技術將整合到寶馬集團的下一代電動汽車中

        • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)近日宣布與寶馬集團(BMW)簽署長期供貨協(xié)議(LTSA),將安森美的EliteSiC技術用于這家德國高端汽車制造商的400?V直流母線電動動力傳動系統(tǒng)。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個全橋功率模塊中,可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰(zhàn)略合作針對電動動力傳動系統(tǒng)的開發(fā)和整合,使安森美能為特定應用提供差異化的芯片方案,包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機械特性實現(xiàn)高效率和更低的整體損耗,同時提供極高的系
        • 關鍵字: 安森美  碳化硅  寶馬集團  電動汽車  

        特斯拉要削減碳化硅使用量,相關芯片制造商股價應聲下跌

        • 3 月 3 日消息,美國電動汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動上表示,計劃減少下一代電動汽車動力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量,當?shù)貢r間周四相關芯片制造商的股價紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動討論的一個主要內容是效率提升和成本控制。特斯拉動力系統(tǒng)工程負責人科林?坎貝爾(Colin Campbell)登臺展示了公司計劃如何在保持高性能和轉化效率的同時降低汽車動力系統(tǒng)的成本。坎貝爾透露,“在我們的下一代動力系統(tǒng)中,作為關鍵部件的碳化硅晶體管價格昂貴,但我們找到了一種方法,可以在不影響汽車性能或效率的情況下
        • 關鍵字: 特斯拉  碳化硅  

        碳化硅如何革新電氣化趨勢

        • 在相當長的一段時間內,硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料,它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體:將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡螅骷梢栽诟鼘挼臏囟确秶鷥裙ぷ鳎粫l(fā)生故障或降低效率。它還具有化學惰性,所有這些優(yōu)點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性,并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用,例如電源、純
        • 關鍵字: 安森美  碳化硅  

        英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議

        • 日前,英飛凌科技繼續(xù)擴大了與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC材料,協(xié)議后期則會助力英飛凌向8英寸晶圓的過渡。合作過
        • 關鍵字: 英飛凌  碳化硅  

        英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議

        • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC
        • 關鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

        Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

        • Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列,共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品,以及?DIODES DSCxx120系列,共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點包括可大幅提高效率和高溫可靠
        • 關鍵字: Diodes  碳化硅  肖特基勢壘二極管  SBD  

        Wolfspeed與采埃孚建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同發(fā)展未來碳化硅半導體項目

        • ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯(lián)合研發(fā)中心,旨在進一步提升在全球碳化硅系統(tǒng)和器件創(chuàng)新領域的領先地位。●? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資,以支持全球最先進、最大的碳化硅器件工廠的建設。全球碳化硅(SiC)技術引領者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術公司采埃孚集團宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng)新實驗室,共同推動碳化硅系統(tǒng)和器件技術在出行、工業(yè)和能源應用領域的進步。此次合作還包括采埃孚將向
        • 關鍵字: Wolfspeed  采埃孚  碳化硅  

        Wolfspeed 宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進的碳化硅器件制造工廠

        • ?·??????? 將成為全球最大的200mm 半導體工廠,采用創(chuàng)新性制造工藝來生產下一代碳化硅器件。·??????? 擴展至歐洲的碳化硅器件制造布局,將支持不斷加速中的客戶需求,同時也將支持公司在 2027 財年達成 40 億美元的長期營收展望。·??????? 將成為公司先前宣布的 6
        • 關鍵字: Wolfspeed  碳化硅  制造工廠  

        安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術達成戰(zhàn)略協(xié)議,進一步鞏固戰(zhàn)略合作關系

        • 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件,以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
        • 關鍵字: 安森美  大眾汽車集團  電動汽車  碳化硅  SiC  
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