· 在“重塑未來”戰略指引下，捷豹路虎正在向電動化優先轉型，全力開啟未來出行之路，在 2039 年實現凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰略合作將確保碳化硅（SiC）半導體技術的供應，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發現、路虎?衛士、捷豹汽車電動化的重要組成部分· &
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捷豹路虎 Wolfspeed 電動汽車 碳化硅
綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統，為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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碳化硅 SiC 電源管理 可配置數字柵極驅動 萬物電氣化
現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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碳化硅的發展與電動汽車的快速發展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動駕駛技術的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術重要性愈發凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領域的頭部企業，其動態是行業的重要風向標，近期三家企業均發表了對碳化硅行業的積極展望，反映車規級碳化硅產品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數十億美元的新工廠，以生產為電動汽
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碳化硅 電源管理芯片
2022年9月20日，國內第三代半導體碳化硅頭部企業——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產業鏈關鍵環節的研發制造能力，提升產能規模，支撐碳化硅產品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業務加速拓
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半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業的砍單潮已經將寒氣傳遞給了眾多企業，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產能擴張。 安森美二季度財報發布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調為“同比增長3倍”，而
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碳化硅 氮化鎵
功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為臺灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC 讓設計人員能夠減少元器件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。SiC 元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少 CO2 排放量
的環保型產品和系統。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的
開發領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業的
應用中都實現了更佳的節能效果。水原德健, 羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經理
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202207 碳化硅 電動汽車 羅姆
受訪人：水原德健 羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 目前，市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導體器件的應用場景。當低頻、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
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賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發碳化硅（SiC）功率模塊方面已經開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規級功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
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服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術。該供貨協議是兩家公司為期四年的技術合作開發成果。采用意法半導體先進的 SiC 功率半導體，雙方致力于在更緊湊的系統中實現卓越的能效，并在性能方面達到行業標桿。SiC 正迅速成為汽車行業首選的電動汽車牽引驅動的電源技術，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
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安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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安森美 TOLL封裝 碳化硅 MOSFET
一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優于硅基產品，以后有對應設備
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開發板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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碳化硅！介紹
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