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碳化硅(sic)mosfet 文章最新資訊

LTC4366高壓浪涌抑制器應用深入講解（獨家收錄）

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
關鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

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LTC4366浪涌抑制器入門簡介

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關鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

內置MOSFET降壓型開關穩壓器NJW1933

日本無線株式會社（總部：東京都中央區　代表取締役社長：小倉　良）開發出了一款600mA， 500kHz的小型封裝降壓型開關 ...
關鍵字：內置 MOSFET 降壓型開關穩壓器 NJW1933

飛兆汽車級高速、低邊驅動器系列可提高效率、簡化設計

使用功率MOSFET的汽車應用要求柵極驅動器具備高峰值驅動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅動器(紐約證券交易所代碼： FCS)為電源和其他高效MOSFET開關應用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創建緊湊、高效和可靠的設計。
關鍵字：飛兆驅動器 MOSFET

東芝針對移動設備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經為智能手機和平板電腦等移動設備的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
關鍵字：東芝 MOSFET 智能手機移動設備

東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產。
關鍵字：東芝 MOSFET TK9J90E

東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設備鋰離子電池和電源管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現了低導通電阻，可減少設備的傳導損失。
關鍵字：東芝 MOSFET 鋰離子電池

騙子成堆的LED燈具廠商……

請不要認為是標題黨，慢慢往下看……
關鍵字： LED LED驅動驅動電源無源元件 MOSFET

利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

用肖特基二極管實現多電源系統有多種方式。例如，μTCA網絡及存儲服務器等高可用性電子系統都在其冗余電源系...
關鍵字： MOSFET LTC4225 LTC4227

東芝擴大用于基站和服務器的功率MOSFET陣容

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，并實現了頂尖[1]低導通電阻和高速開關性能。即日開始批量生產。
關鍵字：東芝 MOSFET

東芝為基站和服務器推出30V電壓功率MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產品采用了最新的第八代低壓溝槽結構，實現了最高級別的低導通電阻和高速轉換。該系列產品計劃于6月底投入量產。
關鍵字：東芝 MOSFET 電阻

對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進行失效分析

摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價格又便宜，正在被越來越多地應用到微電子元器件當中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術。
關鍵字：銅絲鍵合 MOSFET 金鍵合失效分析金屬層 201308

利用PowerTrench MOSFET應對更高功率密度的新挑戰

引言隨著社會經濟從紙張型向數字信息管理型方向發展，用于數據處理、存儲和網絡的數據中心在個人業務、學術...
關鍵字： PowerTrench MOSFET

飛兆開發出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

　　電機控制系統設計人員需要能夠在嚴苛的應用條件下，提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導體開發了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設計人員提供交流感應電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機，包括風扇電機、洗碗機和各種小型工業電機。
關鍵字：飛兆 MOSFET SPM

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碳化硅(sic)mosfet介紹

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碳化硅(sic)mosfet電路

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