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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
淺析MOSFET的UIS及雪崩能量
- 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源設(shè)計(jì)
SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字： SiC 二極管
Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時(shí)集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過(guò)20個(gè)元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
- 關(guān)鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2
飛兆集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率
- 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： 飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動(dòng)器
怎么能使Simulink的仿真速度更快?
- 現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對(duì)象也是越來(lái)越復(fù)雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時(shí)候，因?yàn)镻C上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來(lái)是越跑越慢了。
- 關(guān)鍵字： Simulink 仿真速度 操作系統(tǒng) MOSFET
安森美用于辦公自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方案
- 電機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個(gè)領(lǐng)域，如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、投影儀、電冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、燃?xì)庠睢⒄障鄼C(jī)、ATM機(jī)、電動(dòng)縫紉機(jī)、保安攝像機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動(dòng)化等。
- 關(guān)鍵字： 安森美 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 步進(jìn)電機(jī) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
碳化硅(sic)mosfet介紹
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