- 汽車應用MOSFET半導體制造商在金屬氧化物半導體（MOS）技術領域取得了重大進步，并繼續積極發展。先進的功率MOS...
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汽車應用 MOSFET 電機控制
- 1 引言
scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關斷門級電流通路;功率半導體器件在關斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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MOSFET IGBT 驅動器 芯片
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發現了，但直到1955年，才有生長高品質碳化硅的方法出現;到了1987年，商業化生產的SiC進入市場;進入21世紀后，SiC的商業應用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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ROHM SiC 半導體
- 服務器、電信、計算等高端的AC-DC開關模式電源(SMPS)應用以及工業電源應用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設計人員需要采用占據更小電路板空間并能提高穩定性的高性價比解決方案。
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飛兆 MOSFET SuperFET
- 如何提升數字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅動器的支持。電源設計人員仍然對數字電源控制技術心存疑慮。他們經常將PC的藍屏現象歸咎于軟件沖突。當然，這種爭議會阻礙數字控制電源以
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MOSFET 驅動器 辦法 性能 電源 提升 數字 控制 如何
- 在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和F...
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同步降壓 MOSFET 電阻比
- 汽車動力轉向系統的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰。
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飛兆 MOSFET FDB9403
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出具有超低導通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業應用，包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動工具、代步車，以及ORing和熱插拔應用等。
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IR MOSFET
- 半導體業者競相開發高整合度發光二極體(LED)照明驅動IC方案。在高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產能吃緊之下，LED照明系統商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發表整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC方案，讓LED照明系統客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。
恩智浦區域市場總監王永斌表示，調光與非調光LED驅動IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過高整合LED驅動IC方案確保客戶掌握貨源無虞。
恩智浦(NXP)區域市場總監王永斌表示，20
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恩智浦 LED MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸，具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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