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        碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

        SiC和GaN是“下一代”還是“當代”?

        •   SiC企業(yè)不斷增多,成本不斷下降”一文中,作者根津在開篇寫道:“下一代功率半導體已經(jīng)不再特別。”這是因為,隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發(fā)布,在學會和展會的舞臺上,這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。   那么,在使用功率半導體的制造現(xiàn)場,情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段,仍屬于“下一代”,但在功率半導體使用者的心目中,此類產(chǎn)品已逐漸由
        • 關鍵字: SiC  GaN  

        理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障

        • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA 網(wǎng)絡及存儲服務器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng),例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
        • 關鍵字: 凌力爾特  肖特基二極管  MOSFET  

        Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

        GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

        • GT Advanced Technologies(納斯達克:GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術,能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導體SiC晶體塊,可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段,SiClone100主要針對本身已經(jīng)擁有熱場、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準備開始量產(chǎn)的客戶。
        • 關鍵字: GT  SiC  晶體  

        復蘇乏力 元件供應商日子難過

        •   雖然所有領先指標都顯示2013年下半年將恢復季節(jié)性增長,但包括半導體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當前市場復蘇階段的預期水平。據(jù)IHS公司的元件價格走勢追蹤服務,這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。   2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺,預計半導體營業(yè)收入增長4.8%,盡管該市場的各個領域不會同樣強勁。   在假日季節(jié)之前的這個時期,MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價格上漲現(xiàn)象,而目前尚未看到這些情況。同時,消費電子、汽
        • 關鍵字: 電子元件  MOSFET  

        為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設計小貼士

        • 歡迎來到電源設計小貼士!隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調(diào),我們創(chuàng)建了該專欄,就各種電源管理...
        • 關鍵字: 工作頻率    MOSFET    Pcon  

        飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

        • 飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領先供應商,通過引入 100 V BoostPak 設備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程,將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi),代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用中目前使用的分立式解決方案。
        • 關鍵字: 飛兆  MOSFET  LED  

        安森美推出兩款新的MOSFET器件

        • 安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機及平板電腦應用,作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
        • 關鍵字: 安森美  MOSFET  鋰離子電池  

        Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

        • Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
        • 關鍵字: Mouser  CAS100H12AM1  碳化硅  

        Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導通電阻擴展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴大為6A~105A。
        • 關鍵字: Vishay  E系列  MOSFET  

        功率MOSFET基礎知識

        • 什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信...
        • 關鍵字: 功率  MOSFET  基礎知識  

        用IGBT代替MOSFET的可行性分析

        • 一、引言電力電子設備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、...
        • 關鍵字: IGBT  MOSFET  

        AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

        • 日前,集設計,研發(fā)一體的著名功率半導體及芯片供應商萬國半導體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。
        • 關鍵字: AOS  AON6250  MOSFET  

        飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

        • 高分辨率、緊湊有源整流橋應用(如網(wǎng)絡攝像機)中的過熱可能導致圖像質(zhì)量問題。 同樣,熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器,也會降低相機的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量,占用電路板空間,讓這些設計變得更復雜。
        • 關鍵字: 飛兆  FDMQ86530L  MOSFET  

        未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

        •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
        • 關鍵字: GaN  半導體  SiC  
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        碳化硅(sic)mosfet介紹

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