新聞要點●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50%●? ?該平臺采用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優化的系統方案并縮短產品上市時間●? ?安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產品 ? ? ?面對不斷升級
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安森美 碳化硅 電氣化轉型
當地時間7月17日，美國商務部宣布與全球第三大半導體晶圓供應商環球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應鏈。據悉，環球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環球晶圓董事長徐秀蘭表
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環球晶圓 晶圓廠 碳化硅
OptiMOS? 7 40V 車規MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產品在比導通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進英飛凌OptiMOS?
7
技術是英飛凌開發的第五代溝槽技術，是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用，大幅提高了產品的電流能
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OptiMOS MOSFET 英飛凌
引言：隨著新能源汽車產業的蓬勃發展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統互連材料的局限傳統的高溫錫基焊料和銀燒結技術已在功率模塊行業中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風險，在
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基本半導體 銅燒結 碳化硅 功率模塊
作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優異的物理和化學特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應用于電動汽車、軌道交通、智能電網、通信雷達和航空航天等領域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產業鏈上，關鍵部分主要集中
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碳化硅
碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關鍵電學關系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
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LTspice MOSFET NMOS
據日經中文網報道，日本中央硝子（Central Glass）開發出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。據介紹，中央硝子開發出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統技術相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質方面更具優勢。該技術可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術一直未應用在實際生產中。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態等，成功量產出了6
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碳化硅 襯底
6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產量和生產率，以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。意法半導體功率分立與模擬產品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉向8英寸。”隨著晶圓尺寸的增加，每片可以生產更多的芯片，每顆芯片的生產成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。意法半導體計劃明年
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碳化硅 意法半導體
英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管，適用于服務器和工業開關模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。這些元件采
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英飛凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 電源應用
6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET產品已經通過車規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC
MOSFET工藝平臺正式量產，后續將依托浙江義烏的車規級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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瞻芯電子 SiC MOSFET 車規認證
隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發電壓650 V以下的SiC MOSFET產品。現在，英飛凌基于今年早些時候發布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌 CoolSiC MOSFET AI服務器電源
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設計，其集成溫度傳感器在工業應用同類產品（CoolMOS? S7T）取得的進步基礎上，顯著提高了結溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領域至關重要的優勢。與同系列中的工業級產品一樣，車規級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態繼電器（SSR）應用。它具有出色的RDS(on)?
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英飛凌 溫度傳感器 CoolMOS MOSFET
●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當地帶來先進的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業投資項目之一，屬于對中歐先進半導
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安森美 碳化硅 功率半導體
作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
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SiC MOS 碳化硅 MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
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