首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 安森美

        安森美 文章 進入安森美技術社區

        SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

        • 前面的文章,和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況,同時也分享了安森美在器件開發的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片,對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作,還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發揮出來,這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖,圖二是整個SSDC模塊的結構圖,從圖一和圖二我們可以發現這個用在主驅的功率模塊還是比較復雜的,里面包含了許
        • 關鍵字: SiC Traction模塊  安森美  202311  

        安森美將攜智能成像方案亮相Vision China 2023

        • 中國上海 -  2023年7月7日--領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),將攜領先的圖像感知技術及方案亮相于7月11日至13日在上海國家會展中心舉辦的中國(上海)機器視覺展(Vision China 2023),展位號為5.1號館D204號展臺。 安森美將展示基于其 AR0822圖像傳感器和Rockchip的RK3588處理器的高精度條碼掃描方案。AR0822支持120 dB高動態范圍片上融合(eHDRTM)、近紅外響應增強(NIR+)和超
        • 關鍵字: 安森美  智能成像  Vision China  

        IGBT如何選擇,你真的了解嗎?

        • 最近,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多,受到廣泛關注。然而,在這些新技術出現之前,許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT),事實上,許多此類應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中,我們介紹 IGBT 器件的結構和運行,并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構,然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。IGBT 器件結構簡而言之,IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管,通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS
        • 關鍵字: 安森美  IGBT  

        超低功耗無線 MCU:玩轉睡眠模式

        • 支持藍牙低功耗 (LE) 的設計可讓設備長時間處于非工作狀態,因此,您可能需要選用具有超低功耗睡眠模式的高能效無線微控制器 (MCU),這對于優化整體系統性能至關重要。設計人員應當仔細選擇采用藍牙低功耗技術的 MCU 的規格,確定超低功耗的真正含義。這不是對照數據表確定最低電流消耗值,針對應用尋求最佳解決方案并非易事。睡眠模式(又稱低功耗模式或休眠模式)不僅意味著低電流,還需考慮以下幾個因素:?●   電流消耗●   喚醒源●   保留內存●&n
        • 關鍵字: 安森美  MCU  

        安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構

        • 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩腳跟以來,電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程,電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而,電池越大,意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁,如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC),那么充電樁使用時間可能會成為
        • 關鍵字: 安森美  MOSFET  車載充電器  

        貿澤電子備貨安森美NCN26010以太網控制器

        • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) NCN26010工業以太網控制器。這款新型10BASE-T1S以太網控制器設計用于為工業環境提供可靠的多點通信。安森美NCN26010是一款10Mb/s、符合IEEE 802.3cg標準的器件,包含媒體訪問控制器 (MAC)、PLCA協調子層 (RS) 和10BASE-T1S PHY,設計用于工業多點以太網網絡。該器件可在單根雙絞線上實現40多個節點,
        • 關鍵字: 貿澤  安森美  以太網控制器  

        安森美推出端對端定位系統,助力實現更省電的高精度資產追蹤

        • 智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi),推出了一款端對端定位系統,讓設計人員可以更方便快速地開發出更高精度、更具成本效益、更省電的資產追蹤解決方案。該系統基于安森美的RSL15 MCU,這是業界功耗最低的Bluetooth? 5.2 MCU,并采用了Unikie和CoreHW的軟件算法和組件,形成一個全集成的解決方案,其組件已經過優化,可以協同工作。新的藍牙低功耗(Bluetooth LE)解決方案使標簽能夠用于在規定的封閉空間(如倉庫、商店或其他建筑物)中以亞米級的精度追蹤物體或人員。它
        • 關鍵字: 安森美  定位  資產追蹤  

        安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構

        • 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩腳跟以來,電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程,電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而,電池越大,意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁,如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC),那么充電樁使用時間可能會成為
        • 關鍵字: 安森美  onsemi  MOSFET  車載充電器  800V電池架構  

        用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南

        • SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器)的使用指南。本文為第三部分,將重點介紹NCP517
        • 關鍵字: 安森美  SiC  MOSFET  隔離柵極驅動器  

        安森美引領行業的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優勢

        • 本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優勢,提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識,接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息,并介紹虛擬開關損耗環境的概念和優勢。該虛擬環境還可用來研究系統性能對半導體工藝變化的依賴性。最后,本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLECS 模型以及相關的影響。總結部分闡明了安森美工具比業內
        • 關鍵字: 安森美  PLECS模型  仿真工具  

        深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

        • IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點,并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT,必須在每個方向上硬驅動柵極電流,以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時,會存在一個從雙
        • 關鍵字: 安森美  IGBT  柵極驅動  

        安森美Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的優勢

        • 簡介? ? ??本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優勢,提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識,接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息,并介紹虛擬開關損耗環境的概念和優勢。該虛擬環境還可用來研究系統性能對半導體工藝變化的依賴性。最后,本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLE
        • 關鍵字: 安森美  Elite Power  仿真工具  PLECS  模型自助生成工具  

        分步解析,半橋 LLC 諧振轉換器的設計要點

        • 在眾多諧振轉換器中,LLC 諧振轉換器有著高功率密度應用中最常用的拓撲結構。之前我們介紹過采用 NCP4390 的半橋 LLC 諧振轉換器的設計注意事項,其中包括有關 LLC 諧振轉換器工作原理的說明、變壓器和諧振網絡的設計,以及元件的選擇。今天我們將介紹設計程序的前9個步驟并配有設計示例來加以說明,幫助您完成 LLC 諧振轉換器的設計。設計程序本文介紹了使用圖 12 中的電路圖作為參考的設計程序,其中諧振電感是用漏感實現的。設計規格如下所示:●   標稱輸入電壓:396 VDC(PF
        • 關鍵字: 安森美  半橋  LLC  轉換器  

        如何高效完成大電流單通道柵極驅動器電路設計?

        • NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器,內置電流隔離功能,用于在高功率應用中實現高系統效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護和軟關斷(STO)這六個部分的參數、功能和設計技巧。這篇文章我們將重點關注NCD(V)5700x的考慮使用外部BJT緩沖器實現軟關斷(STO)、用于偏置電源的齊納分離式穩
        • 關鍵字: 安森美  柵極驅動器  

        工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧

        • NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器,內置電流隔離功能,用于在高功率應用中實現高系統效率和可靠性。其特性包括:互補輸入(IN+ 和 IN-),開漏故障()和就緒 (RDY) 輸出,復位或清除故障功能(),有源米勒箝位 (CLAMP),去飽和保護 (DESAT),去飽和情況下軟關斷,拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅動輸出(僅限 NCD(V)57000),精確欠壓閉鎖 (UVLO),低傳播延遲(最大值90 ns)和小脈沖失真(最大值25 ns),較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI
        • 關鍵字: 安森美  
        共1150條 13/77 |‹ « 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 » ›|

        安森美介紹

        安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列,是計算機、通信、消費產品、汽車、醫療、工業和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。 公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯,并在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業務 [ 查看詳細 ]

        相關主題

        熱門主題

        安森美    樹莓派    linux   
        關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 张家界市| 丹阳市| 铜陵市| 舒兰市| 潼关县| 嘉义县| 鄂尔多斯市| 光山县| 封开县| 嘉善县| 建昌县| 精河县| 宜宾县| 灯塔市| 定结县| 延津县| 呼图壁县| 宝丰县| 白山市| 栾川县| 都兰县| 古交市| 阿拉善左旗| 醴陵市| 营山县| 黔西| 山东| 瑞安市| 莆田市| 获嘉县| 舞钢市| 新乡市| 舟山市| 铜鼓县| 江源县| 台北市| 三亚市| 卫辉市| 新绛县| 富顺县| 临湘市|