【安森美#專場直播】倒計時4天！How SiC is Shifting the Future of EV

來源：旺材芯片

傳統的電力電子系統，多由硅（Si）為基礎的半導體元件構成 ，其中硅基MOEFST以及IGBT應用最廣泛。兩種器件有各自的優缺點，只能高效的應用與各自的特定領域。隨著業界對功率，效率以及環境壓力的進一步追求，傳統的硅基設計已進入瓶頸期，無進一步的提升性能的空間。

碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料半導體（Wide BandGap）的代表，因其優異特性備受業界矚目。然而，從Si到SiC的轉變仍面臨著諸多挑戰，尤其是封裝及應用層面。這些挑戰阻礙了終端用戶充分發揮SiC的潛在性能。

因此這次報告著眼于此，從技術和市場的角度出發，同時鑒于平臺粉絲以及線上參與者對SiC知識的強烈需求，我們圍繞“How SiC is Shifting the Future of EV”話題開展了直播分享，吳桐先生也將給大家帶來更深入的分享與解讀，談一下安森美半導體，針對如何幫助業界,更有效地實現從Si到SiC的迭代。

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01.

演講題目

How SiC is Shifting the Future of EV

02.

安森美半導體

安森美是一家領先的半導體制造商，提供80,000多款不同的器件和全球供應鏈，為數以百計的市場的數以十萬名客戶提供服務。Fairchild半導體和摩托羅拉是我們今天所知的技術行業的基石。當前存在的幾乎每家技術公司都可以追溯它們的根基到這些先驅之一。

不過，安森美不僅傳承了行業巨頭摩托羅拉和Fairchild半導體, 還傳承了Cherry Semiconductor、AMI Semiconductor、三洋半導體、Aptina Imaging Corporation、SensL Technologies和許多其他公司。

03.

主講專家

吳桐

首席碳化硅專家

中國區汽車OEM產品技術負責人

上海交通大學半導體物理專業，數學專業輔修本科畢業，美國田納西大學電氣工程博士學位。吳博士在半導體封裝，寬帶隙器件（SiC）應用，電力電子設計，自主電源模塊設計（電力電子設計4.0）方面擁有10多年的研發和工業經驗。

吳博士目前在安森美工作，擔任首席寬禁帶器件專家，負責大中華地區的SiC產品市場。深度了解新能源行業的市場，供應鏈，開發流程以及解決方案。與國內多家整車廠，主機廠保持著深度合作以及技術支持。加入安森美之前，他曾在SF Motors擔任技術主管，領導SiC功率模塊封裝和下一代牽引逆變器研發項目。他在美國田納西州橡樹嶺橡樹嶺國家實驗室（ORNL）的電力電子和電機研究中心進行了博士研究工作。在ORNL，他參與了多個項目，包括高功率密度電力電子系統的多目標設計和優化，寬帶隙功率半導體器件功率模塊封裝及其應用。他已經在國際會議和期刊上發表了40多篇論文，并在SiC功率模塊封裝方面獲得了多項美國專利。

04.

演講大綱

1. Limitation of SiC in HPD type package

2. Introduce the benefits of SiC Molded Package