- 隨著支援快速充電的智能手機越來越多，當你使用過“快速充電”規格之后，那種“回不去”的感覺應該印象深刻吧！目前許多 110v~240v 電源充電器已經對應 QuickCharge 4 (QC 4.0)& QuickCharge 4.0+ (以下簡稱 QC 4.0+) & PD快速充電規格，那.....車上呢？此方案提供 USB Type-C 快速充電的?Power Delivery (PD3.0) 充電模式，讓你在車上也可以享受快速充電帶來的便利，以下為此方案針對各別IC功能簡易介
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Car Charger Diodes AP43771 安森美 NCP81239 PD3.0
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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安森美 GaN 驅動器 PCB
- 當車輛電池因損壞而需要更換時，新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池，因而此類事件可能會導致大量 ECU 故障。ISO（國際標準化組織）等汽車標準定義了電氣電子設備的測試方法、電壓水平、電磁輻射限值，以確保系統安全可靠地運行。與極性反接保護 (RPP) 相關的一種標準是 ISO 7637-2:2011，它復制了實際應用中的各種電壓場景，系統需要承受此類電壓以展示其能夠防范故障的穩健性。這使得極性反接保護成為連接電池的 ECU/系統的一個關鍵組成部分，所有汽車制造
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- 當您設計新電力電子產品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統、儲能系統、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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安森美 SiC
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器，為充分發揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
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安森美 GaN PCB
- 與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關（開通和關斷）損耗，而二極管損耗
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- 在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優勢。由于漏電流更小且帶隙更大，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會發生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
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安森美 碳化硅
- 本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器，并介紹實戰經驗。上兩期分別講解了隔離式柵極驅動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動器的電源、濾波設計與死區時間控制，本文為第三部分，將為大家帶來設計中的要點和PCB布局指南。設計驅動器VCC時，關于上電延遲有哪些注意事項？對于所使用的驅動器，要設計一個高能效且快速的電路，啟動時間是一個重要因素。因此，啟動時間必須要短。但是，啟動時間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅動器使能到首次柵極輸出的時間。
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- 三相永磁無刷直流（以下簡稱“BLDC”）電機控制需要一個電子換向電路，而傳統的有刷直流電機是采用機械自換向的方式。與有刷直流電機不同，BLDC電機沒有電刷，無需定期維護或更換，因而不易受到磨損。我們將簡要介紹 BLDC 電機的結構和控制，然后介紹三種換向方法：● 梯形換向● 磁場定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后，我們會介紹一種創新的BLDC換向方法，可以以單個電機控制集成電路(IC)實施三種換向方法中的任何一種。BLDC結構BLDC
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安森美 電機控制
- 近日，安森美宣布，已成功收購格芯(GlobalFoundries) 位于美國紐約州東菲什基爾（East Fishkill，EFK）地區的300mm晶圓廠，自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團隊增加了1,000多名世界一流的技術專家和工程師。2019年4月，安森美與格芯宣布達成協議，收購格芯位于美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓，總價格為4.3億美元（約合人民幣29.35億元），其中1億美元已在簽署最終協議時支付，3.3億美元在2022年底支付。根據協議，安森美幾年內可在該廠增
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- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了對格芯（GlobalFoundries）位于紐約州東菲什基爾（EFK）的300毫米工廠的收購。該交易為安森美團隊帶來了1000多名世界一流的技術專家和工程師人才。在過去的三年里，安森美一直致力于確保東菲什基爾（EFK）工廠及其員工的長遠發展，大力投資于300毫米的生產能力，以加快公司在電源、模擬和感知產品的增長，并優化制造成本結構。東菲什基爾（EFK）工廠為安森美帶來了先進的CMOS制造能力--包括生產圖像傳感
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安森美 格芯紐約東菲什基爾工廠
- 本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器，并介紹實戰經驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅動器的介紹和選型指南，本文為第二部分，將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動器的電源、濾波設計以及死區時間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅動器電源時應注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對于實現可靠的隔離式柵極驅動器性能至關重要。建議選擇具有適當電壓額定值、溫度系數和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
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- 安森美(onsemi)近日公布其2022年第4季度及全年業績，亮點如下：●? ?第4季度收入21.036億美元，同比增長14%●? ?第4季度公認會計原則(以下簡稱“GAAP”) 毛利率分別48.5%，同比增長343基點，非公認會計原則(以下簡稱“non-GAAP”)毛利率48.4%，同比增長321基點●? ?第4季度破紀錄汽車行業收入9.89億美元，同比增長54%●? ?第4季度GAAP和non-GAAP每股攤薄盈利分別為1
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安森美 業績
- 憑借數十年的創新技術經驗以及可靠高效的下一代功率半導體，安森美將為能源基礎設施應用實現更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發時間?中國上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產品與解決方案分銷商e絡盟宣布供應安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優化的最新碳化硅（SiC）產品，適用于能源基礎設施應用。與同類競品相比，這些新器件在現實條件下實現了更低的開關損耗，能夠滿足下一代能源基礎設施系統的更高性能要求。隨著脫碳轉型的加速，全球能源需求逐步轉向部署更多能源基礎設施系統，
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e絡盟 安森美 能源基礎設施
- 目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經得到了普及應用，在電驅的話已經開始逐步有企業開始大規模應用，當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導致成本偏高。隨著工藝的改進，這些都會得到解決。同時SiC由于開關速度比較快，衍生出來的問題在應用里還沒有完全的暴露出來，隨著SiC的終端客戶在這方面的應用經驗越來越豐富，SiC的使用也會趨于成熟。接下來，安森美(onsemi)汽車主驅功率模塊產品線經理陸濤將和您聊聊關于未來SiC在新能源汽車上的普及及應用。
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安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列，是計算機、通信、消費產品、汽車、醫療、工業和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業務 [
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