- 近期，市場各方消息顯示，功率半導體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導體公司股價紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導體等在內的企業產能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。在此市場景氣上行之際，功率半導體市場也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線正式開工，除此之外，包括芯聯集成、捷捷微電、芯粵能多家企業功率半導體項目也在上半年有最新動態。多家企業產能利用率接近滿載從市場需求端看，消費電子行業從去年末開始緩慢
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- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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- 隨著企業向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導體。開發功率半導體解決方案的關鍵目標在于，盡量降低系統總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊
(IPM) 應運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監測功能，非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據歐盟統計局數據，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領域，約 80% 的最終能源消耗用于室內和熱水供暖。熱泵（圖
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- 英飛凌科技股份公司為快速成長的綠色能源行業領導者、逆變器及儲能系統制造商——麥田能源提供功率半導體器件，共同推動綠色能源發展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅動器用于工業儲能應用。?同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導體器件。全球光儲系統（PV-ES）市場近年來高速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為制勝關鍵；儲能應
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- 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續發展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產品的回收利用、可再生能源等綠色領域的研發。據了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求
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- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機構的支持，將助力從硅向碳化硅的產業轉型，提升對于能源轉型至關重要的材料的供應。該中心占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產能，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的
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- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。 根據其分別可支持的開關速度，BIPOLAR適用于中速開關，MOSFET則適用于高頻領域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過
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- 據國創中心公眾號消息，近日，國家新能源汽車技術創新中心車規功率半導體測試實驗室正式投入運營，為汽車半導體的技術進步和質量提升提供支撐。由于車規功率半導體具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速開關能力、耐高溫特性等特點，因此需要通過嚴格的質量認證和測試來確保其質量和可靠性。據悉，目前，該實驗室測試能力已涵蓋AECQ101、AQG324等行業標準，并持續完善車規級碳化硅（SiC）、板級及系統級測試，確保滿足最嚴苛的汽車電子質量要求。其中，面向行業研究熱點之一的SiC，該實驗室能對Si基和SiC基的DIODE、
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- 2019至2022年間新能源汽車、光伏、半導體等下游需求持續旺盛，全球范圍內晶圓產能不足，功率半導體行業供不應求，曾出現多次漲價，其中IGBT、SiC
MOSFET等十分緊俏。自2022年以來，全球范圍內產能逐步釋放，功率半導體市場行情回落，從二三極管、晶體管、中低壓
MOS到高壓MOS都出現供需反轉并大幅降價；加之消費電子市場疲軟大背景下，庫存去化成為功率半導體市場近兩年主旋律。然而，自2023年12月至今年1月，媒體報道包括捷捷微電、三聯盛、藍彩電子、揚州晶新、深微公司在內的五家本土功率半導體
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- 功率半導體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產業鏈中最核心的器件之一。中國作為全球最大的功率半導體消費國，貢獻了約 40% 的功率半導體市場。MOSFET 和 IGBT 為功率半導體產品主力。2023 年，半導體正式步入下行周期。在下行的背景下，整個行業都面臨著前所未有的挑戰。功率半導體在瑟瑟的寒風中，卻顯得與眾不同。本文中，我們將一起看看功率半導體的 2023 以及 2024 的變化情況。MOSFET 的 2023先來看看 MOSFET 的情況。MOSFET 器件具有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩定
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- 新年伊始，越來越多的外資企業開始展望2024年在中國的發展，并持續加大在中國市場的投入。一直秉持著“在中國，為中國”的漢高，通過不斷探索創新，引領綠色低碳新發展模式，并以實際行動踐行持續加碼中國的承諾。隨著科技的飛速發展，功率半導體器件在日常生活和工業生產中發揮著愈發重要的作用。它們不僅應用于手機、電腦和其他電子設備，還涉及到汽車、工業、通訊、AI等多個領域。為了更好地適應市場需求，半導體器件的開發和生產正朝著更高效、更可靠和更本地化的方向發展。作為半導體封裝材料專家，漢高也在不斷地為行業帶來眾多的創新技
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- 12月5日消息，據日經中文網消息，英飛凌汽車部門總裁Peter Schiefer日前受訪時表示，車企與半導體廠商直接談判、簽訂長期合同的情況在增加。經歷疫情之后，與汽車廠商的關系確實發生了變化。汽車廠商開始希望從設計階段細致了解并管理自家使用的運算用MCU。在新能源車用半導體方面，為了能夠長期采購到半導體，汽車廠商提出意見稱，希望與半導體廠商直接談判，簽訂長期供應合同。跳過1級供應商（Tier1）進行對話的機會增加。Peter Schiefer表示，汽車廠商會指定半導體供應商，由其自身或者1級供應商在一定
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- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。雙方將聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點不同，前者以“多個離散元件組合
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功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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