- 半導體廠商英飛凌科技股份公司和印刷電路板(PCB)廠商Schweizer Electronic(FSE: SCE)宣布,英飛凌將收購Schweizer9.4%的股份。相關協議已簽訂。兩家公司同意嚴格保密合同條款。
此次注資Schweizer,英飛凌凸顯了其與合作伙伴攜手開發將功率半導體與PCB集成的技術以及挖掘高功率汽車和工業應用芯片嵌入市場的決心。Schweizer的芯片嵌入技術可與英飛凌專有的芯片嵌入封裝技術BLADE™結合使用,用于計算機和電信系統處理器所需的直流供電(DC/D
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英飛凌 Schweizer 功率半導體
- 中國南車株洲所25日對外公布,裝有中國首批自主研發8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試,并穩定運行一萬公里,各項參數指標均達國際先進水平。
這意味著,由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷,實現從研發、制造到應用的完全國產化。
IGBT是一種新型功率半導體器件,中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”,IGBT在國家戰略領域中不可或缺。
由
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IGBT 功率半導體
- 英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場持續取得領先,蟬聯龍頭地位,同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領先。根據市調機構IHS的研究報告指出,英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。
英飛凌執行長Dr. Reinhard Ploss表示,事實證明英飛凌的策略正確,從產品導向的思維模式邁向系統級別的觀點,并提供最適合客戶的產品,幫助他們獲得成功。這點由英飛凌在MOSFET功率電晶體領域的持續成長便可看出。
2013年全球功率
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英飛凌 功率半導體
- 英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場持續取得領先,蟬聯龍頭地位,同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領先。根據市調機構IHS的研究報告指出,英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。
英飛凌執行長Dr.ReinhardPloss表示,事實證明英飛凌的策略正確,從產品導向的思維模式邁向系統級別的觀點,并提供最適合客戶的產品,幫助他們獲得成功。這點由英飛凌在MOSFET功率電晶體領域的持續成長便可看出。
2013年全球功率半導
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英飛凌 功率半導體
- 德國英飛凌科技開始著手擴大功率半導體業務。該公司以大約30億美元收購從事功率半導體元件及功率管理IC的美國國際整流器(IR)公司。對英飛凌來說,“這是公司史上最大規模的收購案”注1)。
注1)收購價格為每股40美元,與過去3個月的平均股價相比,溢價47.7%,與2014年8月19日的收盤價相比,溢價50.6%。各項收購手續將于2014年底至2015年初完成。
英飛凌雖是功率半導體行業最大規模的企業,但其市場份額在2012年不過11.8%(表1)。第二名以后的
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英飛凌 功率半導體
- 矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處:矢野經濟研究所)
2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負增長,但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
預計2014年仍將繼續增長,2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測,2020年全球功率半導體市場規
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SiC 功率半導體
- 在年前,就有研究機構預測,功率半導體將成為2014年半導體成長強勁動力,原來不出彩的原件,有望煥發光彩了。
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三菱電機 功率半導體
- 最近幾年,在半導體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。
功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力,用于充電裝置和馬達。如今,這種半導體已配備于家電、汽車、工業機械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風電系統等,掌握著節能的關鍵。
三菱電機半導體器件第一事業部營業戰略課長山田正典說“用人體打比方的話,個人店的CPU(中央運算處理裝置)和存儲器是控制運算和記憶的大腦,而功率半導體則相當于肌肉。”
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功率半導體 半導體器件
- 最近幾年,在半導體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。
功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力,用于充電裝置和馬達。如今,這種半導體已配備于家電、汽車、工業機械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風電系統等,掌握著節能的關鍵。
三菱電機半導體器件第一事業部營業戰略課長山田正典說“用人體打比方的話,個人店的CPU(中央運算處理裝置)和存儲器是控制運算和記憶的大腦,而功率半導體則相當于肌肉。”
因新興
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富士通 功率半導體
- 2013年,SiC及GaN等新一代功率半導體器件發展迅速,中國大陸、臺灣、韓國等亞洲國家和地區的廠商開始大范圍涉足該領域,預計2014年,功率半導體的熱點將集中在這些國家和地區的廠商之中。
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功率半導體 元件
- 與現在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面,在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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GaN 功率半導體
- 美國應用材料公司(Applied Materials,AMAT)瞄準近年來需求高漲的功率半導體及MEMS器件市場,將強化200mm晶圓生產設備相關業務,將來還打算支持功率半導體領域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產。
AMAT的主力業務歸根結底還是300mm晶圓相關設備,但該公司“也一直在致力于200mm設備的業務”(AMAT元件及系統部門全球服務總監田中豐)。除了銷售新的200mm設備之外,最近該公司還在開展對客戶擁有的200mm設備進行升級(改造)的服務,使這
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AMAT 功率半導體
- 2013年12月24日,汽車傳感器市場領導者英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼:IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼:IFNNY)連續十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構IHS Inc的調查結果。
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英飛凌 功率半導體
- 四、我國功率半導體產業發展建議 國際著名市場調研公司HISISuppliResearch公司2012年9月給出的全球前10 ...
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功率半導體 產業發展
- 三、功率半導體技術與產業發展狀況 (一)功率二極管 功率二極管是功率半導體器件的重要分支,占據9%的功 ...
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功率半導體 產業發展
功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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