- 據日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據悉，羅姆花費約20年推進研發碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續航里程可提升一成，電池體積也可更小。據悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產，還計劃為增產投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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- 據石峰發布消息顯示，10月28日，株洲市中車時代功率半導體器件核心制造產業園項目開工。據悉，該項目位于株洲市石峰區軌道交通雙創園內，占地約266畝，計劃總投資逾52億元，項目建成達產后，可新增年產36萬片8英寸中低壓組件基材的生產能力，產品主要面向新能源發電及工控家電領域。時代電氣9月公告稱，控股子公司株洲中車時代半導體有限公司，擬投資中低壓功率器件產業化建設項目，包括中低壓功率器件產業化（宜興）一期建設項目和中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目（以下簡稱“株洲子項目”），項目投資總額約1,111,869
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- 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設立新廠，用于大功率半導體模塊的組裝和測試，以推動作為全球碳減排關鍵的汽車電動化進程。此外，英飛凌還進一步擴大了投資，提高大功率半導體模塊的產能，廣泛用于風力發電機、太陽能模塊以及高能效馬達驅動等應用，推動綠色能源的發展。英飛凌營運長Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長期可持續增長的發展道路。在低碳化和數字化趨勢的推動下，英飛凌半導體解決方案的市場需求不斷增長。采格萊德工廠為推動綠色能源的發展作出了重要貢獻，新工廠的建設將進一步助力英飛凌滿足日益
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- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為臺灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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- IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數據手冊是這樣描述短路能力的，在驅動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內成功關斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅動保護電路可以從容安全地關斷短路電流。短路能力不是免費的器
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- 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經開始量產。 BCD是一種單片集成工藝技術，它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導體產品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優點。近年來，隨著電子設備系統尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要，對合適的功率半導體的需求也越來越大，因此對BCD的需求也在增加。啟方半導體為工作電
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- 東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產功率半導體。該廠預計于2024財年開始量產，整體供應的產能將會是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在 2024 財年開始。當第一階段的生產滿載時，東芝的功率半導體產能將是之前的2.5 倍（2021財年）。東芝表示，功率半導體是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。目前汽車電子和工業設備自動化的需求正在擴大，對低壓MOSFET（金屬氧
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- 功率半導體：市場空間大，細分品類多1.1. 簡介：能源轉換的核心器件，細分品類眾多功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導體分立器件，主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉換等。功率半導體主要起源于 1904 年第一個二極管的誕生，而 1957 年的美國 通用電氣公司發表的第一個晶閘管，標志著電子電力技術的誕生； 1970 年代，功率半導體進入快速發展時期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發展，標志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
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- 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續6年居世界首位，在全球產業體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業的飛速發展，極大地推動了碳化硅產業發展與技術創新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
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- 2021年9月，英飛凌科技宣布位于奧地利菲拉赫的300 mm薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營。這座以“面向未來”為座右銘的芯片工廠，總投資額為16億歐元（1歐元約為人民幣7.5元），是歐洲微電子領域同類中最大規模的項目之一，也是現代化程度最高的半導體器件工廠之一。英飛凌為何非常重視功率半導體的發展？其整體發展思路是什么？
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- 英飛凌科技（Infineon）今日宣布，正式啟用其位于奧地利菲拉赫的 12 吋薄晶圓功率半導體芯片廠。這座12吋廠采用當今最高的建筑工藝，大量的使用再生能源與節能設計，一落成就是座零碳排的現代化廠房，同時它也充分結合了自動化與數字化控制的技術，并使用人工智能方案來進行維護，以達成最高的營運效率。 英飛凌的資深員工，將第一片出廠的晶圓遞交給執行長為了實現這座高科技半導體廠房，英飛凌共募集了16 億歐元的投資額，是歐洲微電子領域中最大規模的投資項目之一，也是現代化程度最高的半導體組件工廠之一。英飛凌
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- 近些年，隨著電動汽車以及其他系統的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經歷需求的突然激增，因此也吸引了產業鏈相關企業的關注。在產業應用進一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰正一觸即發。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產環節20%，封裝測試環節5%。SiC襯底不止貴，生產工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰非常大。所以大多數企業都是從Cree、Rohm等供應商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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- 日經中文網3月10日消息，東芝將在位于日本石川縣的主力工廠引進能大量生產純電動汽車（EV）等使用的功率半導體的制造設備。在去碳化潮流下，純電動車用半導體需求不斷擴大。東芝將投資約250億日元，將石川工廠的產能提高2成。全球只有部分大型半導體廠商使用該設備來制造功率半導體。 將電力高效轉化成動力的功率半導體可以降低純電動車等的耗電量。
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- 汽車“四化”趨勢明確，對半導體需求價值量倍增汽車行業向電動化、智能化、數字化及聯網化方向發展，直接帶動汽車 含硅量提升。新能源電動汽車的出現意味著傳統汽車的核心競爭要素將 被取代，產品價值鏈被重塑。新能源車中對于電力控制的需求大幅增加，功率器件中特別是
IGBT 是 工業控制及自動化領域的核心元器件，其通過信號指令來調節電路中的 電壓、電流等以實現精準調控的目的，保障電子產品、電力設備正常運
行，同時降低電壓損耗，使設備節能高效。汽車半導體作為汽車電動化 關鍵載體之一，需求價值成倍增長，據估算純電
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功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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