- 英飛凌目前坐擁30億美元的收購現金，正苦于尋找能夠增加其功率半導體業務利潤的有吸引力目標。功率半導體在英飛凌所有業務中利潤最高。
英飛凌工業和多元化電子市場事業部總裁阿瓦加伊·米塔爾(Arunjai Mittal)表示：“我們看重的是能夠補足我們技術和知識產權的公司，但這些公司對于外來投資并不十分熱心。”
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英飛凌 功率半導體
- LED照明需求持續走強，不少新進者正試圖透過與委外代工照明系統廠或第三方設計公司(IDH)策略結盟，藉此降低進入門檻、投資風險及制造成本，以迅速搶攻LED照明版圖，預期在吸引更多后進者起而效尤之下，IDH將成為功率半導體商拉攏的主力客源之一，未來芯片商的營收貢獻比重將持續看漲。
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LED照明 功率半導體
- 富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線，未來預計在2012年春季開始量產。
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富士電機 功率半導體
- 根據IMS Research的最新報告，功率半導體市場2010年強勁反彈，年增長率達到43%，銷售額大概為160億美元，模塊產品增長率達到了65%，遠高于分立功率器件。
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英飛凌 功率半導體
- 美國明導科技宣布，基于該公司MicReD部門與德國英飛凌科技AutomotivePowerApplication部門2005年共同發表...
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LED 封裝 JEDEC 功率半導體
- 瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調等白色家電外，預計還可用于通信基站和服務器等配備的PFC(功率因數校正)電路以及逆變器電路。瑞薩計劃從2011年10月開始少量量產，2012年3月以后以10萬個/月的規模量產。該公司還打算在2011年度內，樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。
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瑞薩 功率半導體
- 通過風能獲得太陽的能量并非新鮮事物，但當今的功率半導體器件與控制系統卻使這種能源更加適用。在現...
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功率半導體
- 英飛凌科技股份公司連續七年高居全球功率半導體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經濟環境，英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據IMS Research*最新報告，全球功率半導體市場規模縮減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規模縮減，但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(歐洲、中東和非洲)繼續保持著領先地位，市場份額上升1.3個百分點，達到24.3%;在北美和南美地區，其市場份額上升0.4個百分點，達到11.5%。
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英飛凌 功率半導體
- 根據市調機構IMSResearch的最新報告顯示，盡管2009年遭遇全球景氣低潮，英飛凌(Infineon)仍全力達成鞏固市場地位，并提升市占率之目標，亦即2009年全球功率半導體市場出現萎縮--從140億美元縮減為110億美元，降幅達21.5%，但英飛凌的市占率仍逆勢成長10.7%。
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英飛凌 功率半導體
- 英飛凌科技股份公司連續七年高居全球功率半導體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經濟環境，英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據IMS Research*最新報告，全球功率半導體市場規模縮減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規模縮減，但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(歐洲、中東和非洲)繼續保持著領先地位，市場份額上升1.3個百分點，達到24.3%;在北美和南美地區，其市場份額上升0.4個百分點，達到11.5%。
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英飛凌 功率半導體 太陽能
- 【 導讀：在新能源領域的大多數功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領域還相對落后，盡管國內也有一些企業和科研機構在進行研發，但產業化進程緩慢，技術上也落后于國外。】
今年6月，功率半導體業界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導體在新能源領域的應用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產業的未來發展
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功率半導體 IGBT
- 功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為2833億美元，增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半導體
- 兩家半導體大鱷且MCU全球市場排名前兩位的瑞薩科技和NEC電子的合并，一直受到業內的重點關注。其合并的原因?合并后形成的航母級企業的整合效果?將對業界產生怎樣的影響?
問：瑞薩與NEC電子合并后的新名稱?哪些因素促使瑞薩與NEC電子進行這次合并?屬于哪種類型的合并?
答：瑞薩與NEC電子合并后，于2010年4月1日，以瑞薩電子株式會社的新公司名稱正式開始商業運營，并且得到來自大股東NEC、日立制作所和三菱電機的總額約2000億日元(約合20億美元)的增資，財務實力大幅增強。
NEC電
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瑞薩電子 SoC 模擬 功率半導體
- 華潤上華科技有限公司(簡稱“華潤上華”)與電子科技大學(簡稱“電子科大”)共建DMOS聯合實驗室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學舉行。華潤上華副總經理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協議上簽字，華潤上華董事長陳正宇博士、電子科大校長汪勁松教授出席了簽字儀式，并就合作的未來進行了深度交流和展望。
在華潤上華與電子科技大學微電子與固體電子學院張波教授團隊多年的合作基礎上，雙方將充分利用該聯合實驗室平臺，發揮各自的優勢展開深入密切的
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華潤上華 功率半導體 DMOS
功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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