首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導體

        功率半導體 文章 最新資訊

        BelGaN 破產(chǎn)將使比利時損失 100 萬歐元;氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

        • BelGaN 在比利時的氮化鎵功率半導體工廠去年關(guān)閉。據(jù) eeNews Europe 的報道,有報道稱三個財團有興趣收購該設施,主要用于光子應用。報道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報告稱,關(guān)閉預計將使地方當局花費超過110萬歐元,并補充說,歐洲全球化和調(diào)整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報道中提到的競標者包括 Silex Microsystems,它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述,Silex Microsyste
        • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  功率半導體  晶圓代工  

        利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護

        • 引言碳化硅( SiC)MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領(lǐng)域的發(fā)展,開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高,設計人員應更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動電路,確保對MOSFET的安全控制,防止寄生導通,避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案,有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動器設計措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動器電路的穩(wěn)健性,有幾個問題值得考慮。除了驅(qū)動器安全切換半導
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅  MOSFET  電源  功率半導體  

        詳解IGBT工作原理

        • 大家好,我是蝸牛兄,今天給大家分享的是:IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體,IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT?IGBT 是絕緣柵雙
        • 關(guān)鍵字: IGBT  功率半導體  

        動態(tài)測試WBG功率半導體裸片

        • 雙脈沖測試將在電力電子的未來中發(fā)揮關(guān)鍵作用。電源設計人員和系統(tǒng)工程師依靠它來評估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導體在動態(tài)條件下的開關(guān)特性。通過評估開關(guān)期間的功率損耗和其他指標,這些測試使工程師能夠優(yōu)化最新電源轉(zhuǎn)換器、逆變器和其他電源電路的效率和可靠性。推動采用雙脈沖測試的是它能夠在設計過程的早期評估最壞情況下工作條件下的電力電子設備。這有助于降低將來出現(xiàn)不可預見問題的風險。然而,由于 SiC MOSFET 的開關(guān)速度更快,GaN 功率 FET 的頻率更高,因此基于氮化
        • 關(guān)鍵字: 動態(tài)測試  WBG  功率半導體  

        Kulicke & Soffa推出用于功率半導體應用的Asterion-PW

        • Kulicke and Soffa Industries Inc.(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”)宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機,通過快速精確的超聲波針焊接解決方案擴大其在功率元件應用領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這種先進的解決方案為Pin互連能力設定了新的標準,重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車和鐵路等應用中,越來越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來實現(xiàn)Pin針和DBC的互連以滿足信號傳輸和機械固定的要求。功率模塊市場是增長最快的半導
        • 關(guān)鍵字: Kulicke & Soffa  功率半導體  Asterion-PW  

        SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!

        • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設計指南。本文為第一篇,聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導體器件。出于成本或布局的考慮,并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊,但這些模塊實際上也是通過并聯(lián)芯片實現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
        • 關(guān)鍵字: JFET  Cascode  功率半導體  

        CGD 獲得3,200萬美元融資,以推動在全球功率半導體領(lǐng)域的增長

        • 2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵(GaN)功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與,并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金(BGF)、劍橋創(chuàng)新資本公司(CIC)、英國展望集團(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。             &nbs
        • 關(guān)鍵字: CGD  功率半導體  

        驅(qū)動電路設計(二)——驅(qū)動器的輸入側(cè)探究

        • 驅(qū)動電路設計是功率半導體應用的難點,涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細講解如何正確理解和應用這些功能,也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅(qū)動器的輸入側(cè)一個可靠的功率半導體驅(qū)動電路設計要從輸入側(cè)開始,輸入端可能會受到干擾,控制電路也會發(fā)生邏輯錯誤,可能的誤觸發(fā)會造成系統(tǒng)輸出混亂,甚至損壞器件。一個典型的無磁芯變壓器耦合的隔離型驅(qū)動器輸入測如框圖所示,本文重點講講不起眼的IN
        • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動電路  功率半導體  驅(qū)動器  

        功率半導體驅(qū)動電源設計(一)綜述

        • 工業(yè)應用中,功率半導體的驅(qū)動電源功率不大,設計看似簡單,但要設計出簡單低成本的電路并不容易,主要難點有幾點:1 電路要求簡潔,占用線路板面積要小一個EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊,周長20cm,占板面積27cm2,很小,在四周要安排布置6路驅(qū)動和4-6路隔離電源并不容易,如果需要正負電源就更復雜。2 電力電子系統(tǒng)需要滿足相應的安規(guī)和絕緣配合標準,保證合規(guī)的爬電距離和電氣間隙,這使得PCB面積更捉襟見肘。3 對于中大功率的功率模塊,驅(qū)動板會放在模塊上方,會受熱和直面較強的電
        • 關(guān)鍵字: 功率半導體  驅(qū)動電源  電路設計  

        羅姆功率半導體產(chǎn)品概要

        • 1.???? 前言近年來,全球耗電量逐年增加,在工業(yè)和交通運輸領(lǐng)域的增長尤為顯著。另外,以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟活動所產(chǎn)生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此,為了實現(xiàn)零碳社會,努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標。在這種背景下,羅姆致力于通過電子技術(shù)解決社會問題,專注于開發(fā)在大功率應用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導體,并提供相關(guān)的電源解決方案。本白皮書將通過“Power Eco Family”的品牌理念,介紹為構(gòu)建應用生
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  功率半導體  

        被神秘的FS7“附體”,解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

        • 安森美(onsemi)在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴,IGBT模塊系列——SPM31 IPM,QDual 3。值得注意的是,背后都提到采用了最新的FS7技術(shù),主要性能拉滿,形成業(yè)內(nèi)獨特的領(lǐng)先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知,IGBT是一種廣泛應用于電力電子領(lǐng)域的半導體器件,結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的優(yōu)點,具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術(shù)則是IGBT的一種改進技術(shù),通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
        • 關(guān)鍵字: 功率半導體  onsemi  IGBT  

        安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎

        • 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美(onsemi)再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎,彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期,安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎,基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。作為全球領(lǐng)先的汽車半導體供應商,安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術(shù)推動汽車電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個
        • 關(guān)鍵字: 安森美  功率半導體  

        德州儀器日本會津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片,自有產(chǎn)能將提升四倍

        • 自德州儀器官網(wǎng)獲悉,日前,德州儀器公司(TI)宣布已開始在日本會津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產(chǎn),結(jié)合其在德克薩斯州達拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力,德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯(Mohammad Yunus)表示,在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗后,TI成功地將200mm GaN技術(shù)(這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法)應用于會津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
        • 關(guān)鍵字: 德州儀器  氮化鎵  功率半導體  

        是德科技推出適用于功率半導體的3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)

        • ●? ?通過高壓開關(guān)矩陣實現(xiàn)一次性測試,進而提高生產(chǎn)效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設備的安全性;同時確保符合相關(guān)法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導體的?3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)是德科技(Keysight Technologies, Inc.)近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測試系統(tǒng),進一步擴展了其半導體測試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數(shù)測試,從而顯著提升了功率半導體制造商的生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)上
        • 關(guān)鍵字: 是德科技  功率半導體  高壓晶圓測試  

        三星加碼氮化鎵功率半導體

        • 根據(jù)韓媒報道,9月2日,三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料,具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢,IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力,并一直在推動其進入市場。去年6月,在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上,該公司正式宣布:“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導體代工服務。”根據(jù)這一戰(zhàn)略,三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
        • 關(guān)鍵字: 三星  氮化鎵  功率半導體  
        共166條 1/12 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

        功率半導體介紹

          《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎(chǔ),詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

        熱門主題

        功率半導體    樹莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 池州市| 建宁县| 大安市| 扎鲁特旗| 镇宁| 金溪县| 台江县| 会宁县| 大庆市| 东源县| 酉阳| 呼图壁县| 容城县| 仁怀市| 屯昌县| 青阳县| 盖州市| 唐海县| 南华县| 兰考县| 东阳市| 宁夏| 雅安市| 惠来县| 绩溪县| 扶风县| 万载县| 米林县| 福清市| 柳州市| 蒲城县| 灌云县| 措美县| 新疆| 界首市| 保康县| 西充县| 仪陇县| 浦县| 武城县| 安岳县|