CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領域的增長

2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領先創新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現有投資者 Parkwalk、英國企業發展基金（BGF）、劍橋創新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。

電力電子進入 GaN 的時代

氮化鎵器件代表了電力電子領域的突破。與傳統的硅基解決方案相比，它提供了更快的開關速度、更低的能耗和更緊湊的設計。CGD專有的、強大的單片集成 ICeGaN? 技術簡化了 GaN 在現有和漸進式設計中的執行，提供了超過99%的效率水平，在包括電動汽車和數據中心電源在內的各種高功率應用中實現了高達50%的節能。由于這些應用有望使每年節省數百萬噸的二氧化碳排放，加之 ICeGaN? 技術為客戶提供的固有的易用性，加速了全球向更可持續能源系統的過渡。

GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席執行官和創始人

“本輪融資標志著CGD的一個重要節點，驗證了我們的技術和通過高效的GaN解決方案徹底改變電力電子行業的目標——使可持續的電力電子成為可能。我們現在正朝著快速增長的方向前進，期望降低多個領域的能源消耗。我們期待與我們的戰略投資者共同開拓汽車市場”。

市場機會和卓著的口碑

全球 GaN 功率器件市場預計實現41%復合年增長率的驚人增長，到20291年將達到20億美元。結合了高能效、小型化和單片集成的智能功能 ICeGaN? 被視為使用碳化硅（SiC）的現有解決方案的可行替代方案，并助力 CGD 進軍預計到20291年超過百億美元的高功率市場。憑借尖端技術和市場領導地位，CGD 完全有能力在這一快速擴張的市場占據有利地位。成功地贏得了行業領先客戶青睞的 CGD 有能力始終如一，為客戶提供可靠和有影響力的解決方案，推進行業創新。

Henryk   Dabrowski | CGD銷售高級副總裁

“我很高興此次融資有助于 CGD 為成交的客戶提供最新一代 P2 產品。這項投資將大大提高我們的產能，滿足更多對可靠且易于使用的 GaN 解決方案日益增長的需求。”

全球擴張與未來愿景

憑借全球專家團隊、數十年的研究、以及對推動 GaN 技術進步的承諾，CGD 始終如一地為市場提供解決方案，增強常用電子產品的性能。隨著世界向電氣化和可持續發展方向的邁進，CGD 在 GaN 技術方面的領先地位為降低能耗、降低成本和減輕環境影響提供了一條途徑。通過實現高效、緊湊和高性能的功率器件，CGD 正在為可持續電力電子產品樹立新的標準。

這筆資金將幫助 CGD 擴大在劍橋、北美、中國臺灣地區和歐洲的業務，為不斷增長的客戶提供 CGD 獨特的價值主張；并將推動實施 CGD 繼續向大功率工業、數據中心和汽車市場提供高效的 GaN 產品的增長戰略。

John Pearson | Parkwalk顧問公司首席投資官

“CGD 處于可以降低人工智能和電動汽車等蓬勃發展行業的能源需求的技術前沿。巨大的全球潛力和廣泛的應用有助于 CGD 繼續創新和發展。我們很自豪自2019年以來一直支持 CGD 以及其出色的團隊，并同其他投資者合作，加快 CGD在 全球的擴張。”

George Mills | 深度科技、英國耐心資本直接和共同投資總監

“經過多年的研發，CGD 已經證明了其半導體技術的影響力。他們的 GaN 器件比硅基器件消耗更少的能量，既降低了成本，又對環境產生了積極的影響。這項有價值的技術現在需要長期資本助力其擴大規模。”

關于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓半導體公司，由劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于2016年自劍橋大學分拆后成為獨立公司，致力于開發功率器件的革命性技術。CGD 的使命是通過提供最高效、最可靠的產品來塑造電力電子的未來。CGD 的設計、開發和商業化，實現了 GaN 器件和 IC 在能源效率和緊湊性上的根本性轉變，適用于大批量生產。CGD 技術受到強大的知識產權組合的保護，領先的創新技能和雄心推動著 CGD 不斷的進步。