- SUSS MicroTec，全球知名的半導體行業及相關設備和工藝解決方案供應商，推出新一代MA100e光刻機，專用于高亮度發光二極管(HB-LEDs)生產。MA100e基于SUSS MicroTec光刻機經典設計，具有最大至4英寸的載片能力，每小時產量可達145片，業界領先。
電視機、顯示器等對LED背光的需求急劇增長，LED設備生產商必須盡力滿足這一市場增長需要。LED行業對成本很敏感，所以SUSS MicroTec設計的MA100e Gen2自動光刻機在成本控制方面極具競爭力。設備配置的高照
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LED 光刻
- [導讀]將海水變為人類可以飲用的淡水一直是一個吃力不討好的差事，它耗能大、水質又差，現在MIT的科學家們制造的芯片可以更好地完成這個工作。
雖然地球表面有超過70%被水覆蓋，但是我們可以直接使用的淡水卻并不算多。海洋中的苦澀咸水占了總水量的97.5%，剩下的淡水又大部分集中在南北極和冰川上。數百萬年來，人類只能依靠僅占總水量0.2%的淡水生存。
將海水變為淡水是個歷史悠久的課題。雖然早在1954年人們就修建了大規模的海水淡化廠，但是直到目前為止，最常見的海水脫鹽方式依然是半透膜反滲透或者多
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芯片 光刻 腐蝕
- 歐洲半導體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場發展。
可能原因是出自研究所要更多的為工業化服務, 并創造應有的價值。顯然近年來其pilot生產線中EUV光刻研發的 費用高聳,也難以為繼。
近幾年來IMEC與TSMC的關系靠近, 之前它的進步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強它在全球的超級能力,IMEC與TSMC在各個方面加強合作。
IMEC作
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IMEC 光刻 CMOS
- “工欲善其事，必先利其器。”集成電路產業的發展離不開裝備制造業的支撐，而裝備業的發展水平也是衡量一個國家集成電路產業總體水平的重要標準。近年來，我國集成電路裝備業取得了長足的進步，12英寸設備在多個工序實現國產化。但由于8英寸、12英寸集成電路生產線在我國仍有很大的發展空間，這也給國外的二手設備提供了用武之地，同時，也給從事設備翻新的企業提供了發展機遇。
12英寸國產設備進展顯著
●多種核心裝備實現國產化
●12英寸65納米是下階段重點
一條標準的集成電
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半導體設備 芯片制造 光刻 刻蝕
- 臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發20nm半代制程技術。在臺積電公司日前舉辦的技術會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術細節，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會跳過18nm制程。
根據臺積電會上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯技術，并仍然采用平面型晶體管結構，增強技術方面則會使用HKMG/應變硅和較新的“low-r”技術(即由銅+low-
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臺積電 光刻 28nm 22nm
- DRAMeXchange傳來噩耗稱內存芯片的價格在未來三年內將持續走高。這家市場分析公司將內存產業的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表示，2001-2003年，內存業者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們預計從2010年開始，在全球經濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業者將再度扭虧為盈，進入新的一輪三年盈利期。
不過內存業者仍然面臨另外一個重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般
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ASML 光刻 內存芯片
- 荷蘭半導體設備生產商ASML的訂單狀況顯示今年第一季情況繼續好轉，投資者將詳細審視該公司業績，以尋找芯片行業結構性復蘇的跡象。
分析師將該公司的訂單情況視作英特爾和臺積電等大型芯片生產商業績預估的風向標。
根據路透調查，第一季半導體光刻設備訂單料為43筆，多于前一季的40筆。
ASML是全球最大的光刻設備生產商，其競爭對手包括日本的Nikon和佳能。
分析師預計ASML第一季凈利為9,900萬歐元(1.324億美元)，營收為7.13億歐元。15位分析師的營收預估范圍為5.90億
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ASML 光刻
- 電子束光刻系統的知名廠商Vistec Lithography公司近日宣布他們與中國武漢華中科技大學光電工程學院簽署了戰略合作伙伴協議。武漢華中科技大學是大陸國家級重點院校之一，而 Vistec Lithography則是電子束光刻設備的領先廠商，按協議規定，兩家將在納米光刻技術研究和教學領域開展合作。
這次合作的核心是Vistec公司提供給華中科技大學的EBPG5000pES電子束光刻系統，裝備這套系統之后，華中科技大學在教學，科研以及對外合作方面的實力將如虎添翼。華中科技大學稱：“
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Vistec-Lithography 光刻 掩膜
- DRAMeXchange傳來噩耗稱內存芯片的價格在未來三年內將持續走高。這家市場分析公司將內存產業的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表 示，2001-2003年，內存業者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們 預計從2010年開始，在全球經濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業者將再度扭虧為盈，進入新的一輪三年盈利期。
不過內存業者仍然面臨另外一個重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則
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內存芯片 光刻
- IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺酰基化合物(PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國家的環保部門出臺限制使用這兩種化合物的法規之后，美國環保署也出臺了限制在消費級產品的生產過程中使用這兩種化合物的法規，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。
不過在半導體制造產業中，仍允許使用這兩種化合物，半導體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經過10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。
IBM公司主管微電
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IBM 光刻 蝕刻
- 在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術發展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長沉浸式光刻技術延用至11nm制程節點，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術的啟用日期。
Intel實驗室中的EUV曝光設備
根據會上Intel展示的光刻技術發展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術，沉浸式光刻工具方面，Int
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- 半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術(EUV)投入實用的時間點將再度后延。
據IC Insights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。
另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(TS
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EUV 光刻 450mm
- SEMI日前公布了2009年11月份北美半導體設備制造商訂單出貨比報告。按三個月移動平均額統計，11月份北美半導體設備制造商訂單額為7.905億美元，訂單出貨比為1.06。訂單出貨比為1.06意味著該月每出貨價值100美元的產品可獲得價值106美元的訂單。
報告顯示，11月份7.905億美元的訂單額較10月份7.563億美元最終額增長4.5%，較2008年11月份的7.838億美元最終額增長1%。
與此同時，2009年11月份北美半導體設備制造商出貨額為7.437億美元，較10月份6.94
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光刻 半導體設備
- 據iSuppli公司分析，由于全球內存芯片廠商在2005-2007年間已經耗費了大量資本進行設備投資和產能擴展,因此現有的產能已經可以滿足2012年的市場需求，這便意味著在未來兩年之內全球內存芯片廠商的主要精力將不會放在產能拓展方面。
”2005-2007年間，內存芯片廠商共花費了500億美元的資金來采購新的制造設備和建設新的芯片廠，這筆花費已經占到同期整個內存產業營收的55%左右。“iSuppli公司的高級內存分析師Mike Howard表示：”由于向這
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內存芯片 光刻 制造設備
- 32nm離我們還有多遠?技術難點該如何突破?材料與設備要扮演何種角色?10月28日于北京舉辦的先進半導體技術研討會即圍繞“32nm技術發展與挑戰”這一主題進行了探討。
32nm節點挑戰無限
“45nm已進入量產，32nm甚至更小的22nm所面臨的挑戰已擺在我們面前。”中芯國際資深研發副總裁季明華博士在主題演講時說，“總體來說，有四個方面值得我們注意。首先是CMOS邏輯器件如何與存儲器件更還的集成在一起;其次是SOC技術的巨大挑戰，
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Cymer 32nm 光刻
光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發展起來，并開始用在半導體工業方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [
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