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        未來三年內存價格將持續攀升

        作者: 時間:2010-04-16 來源:IC37 收藏

          DRAMeXchange傳來噩耗稱的價格在未來三年內將持續走高。這家市場分析公司將內存產業的興衰周期定為3年左右,據該公司的分析師表示,2001-2003年,內存業者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態,2007-2009年間則再度出現虧損期,因此他們預計從2010年開始,在全球經濟危機緩和,Windows7日漸流行等因素的影響下,內存業者將再度扭虧為盈,進入新的一輪三年盈利期。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/108036.htm

          不過內存業者仍然面臨另外一個重要的難題,他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般需要購買昂貴的沉浸式設備。而除了內存業者以外,其它半導體廠商如臺積電/聯電燈公司也需要采購這類新設備。目前在沉浸式機市場上占據老大地位的是公司,這家公司的產品占到了同類產品市場的90%份額。在這種情況之下,沉浸式機的供貨期將大大延長,而這則會使內存業者試圖提升制程的計劃放緩。



        關鍵詞: ASML 光刻 內存芯片

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