華為日前公布了一項新專利，展示了一種《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》， 專利申請號為CN202110524685.X，據介紹，這種方法便能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了優化，進而達到勻光的目的。
該專利提供一種光刻裝置，該光刻裝置通過不斷改變相干光形成的干涉圖樣，使得照明視場在曝光時間內的累積光強均勻化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。
該光刻裝置包括相干光源 1、反射鏡 2 ( 也可以稱為去相干鏡 ) 、照明系統 3。其中，反射鏡 2 可以進行旋轉；例如，可以在光刻裝置中設置旋轉裝置，反射鏡 2 能夠在旋轉裝置的帶動下發生旋轉。在該光刻裝置中，相干光源 1 發出的光線經旋轉的反射鏡 2 的反射后，通過照明系統 3 分割為多個子光束并投射至掩膜版 4 上，以進行光刻。在光刻裝置中，上述照明系統 3 作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明 ( 勻光 ) 、控制曝光劑量和實現離軸照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。照明系統 3 的勻光功能可以是通過科勒照明結構實現的。
該照明系統 3 包括視場復眼鏡 31 ( field flyeye mirror，FFM ) 、光闌復眼鏡 32 ( diaphragm flyeye mirror，PFM ) 、中繼鏡組 33；其中，中繼鏡組 33 通常可以包括兩個或者兩個以上的中繼鏡。照明系統 3 通過視場復眼鏡 31 將來自相干光源 1 的光束分割成多個子光束，每個子光束再經光闌復眼鏡 32 進行照射方向和視場形狀的調整，并通過中繼鏡組 33 進行視場大小和 / 或形狀調整后，投射到掩膜版 4 的照明區域。通過在相干光源 1 與照明系統 3 之間的光路上設置反射鏡 2，在此情況下，相干光源 1 發出的光線經旋轉的反射鏡 2 反射后相位不斷發生變化，這樣一來，在經反射鏡 2 反射后的光線通過照明系統 3 分割為多個子光束并投射至掩膜版 4 上時，形成在掩膜版 4 的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場在曝光時間內的累積光強均勻化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。值得注意的是，光刻機作為半導體制造過程中最核心的設備，同時也是研發難度最高的設備。就目前光刻機市場來看，高端的EUV光刻機設備也只有荷蘭ASML能生產，這個重達數噸的設備中涉及了超過10萬零部件，需要的工種繁多，毫不客氣地說，ASML所生產的EUV光刻機是集結了全球先進的產業鏈，將諸多零部件進行整合，最終集成一臺EUV光刻機設備。因此大可不必鼓吹“華為申請了光刻機裝置專利，意味著攻克了EUV光刻機技術”。來源：EDN 電子技術設計
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