- Intel雖然一再強調自己的xxnm工藝才是最精確的，比如同樣標稱10nm，自己要比三星、臺積電的領先整整一代，但是沒辦法，人家的腳步要快得多。
今天，三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，并確認未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。
三星11LPP工藝不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工藝)，可以大大縮小芯片面積，另一方面則沿用14nm
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三星 11nm
- 三星正在與臺積電進行10nm工藝競爭，并將成為第一個部署7nm制程的公司。
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三星 11nm
- 本周一，三星宣布了全新的11nm LPP工藝，它將用于三星后續推出的中高端機型。三星在新聞公告中表示，11nm LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。
目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手機。三星表示，10nm用于旗艦手機，11nm用于中高端，形成差異化，預計2018年上半年在市場投放。與此同時，三星也成為了市場上最先確認7nm的企業，其7nm LPP定于2018下半年開始試產，采用EUV極紫外光刻技術。
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三星 11nm
- 在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術發展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長沉浸式光刻技術延用至11nm制程節點，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術的啟用日期。
Intel實驗室中的EUV曝光設備
根據會上Intel展示的光刻技術發展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術，沉浸式光刻工具方面，Int
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Intel 光刻 11nm
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