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        三星 文章 最新資訊

        工信部出手勒“馬韁繩” 液晶面板踩剎車

        •   面對嚴重過剩的平板玻璃產能,工信部終于開始出手勒“馬韁繩”,而這也給不斷上馬的液晶面板項目踩了急剎車。   上周,工信部正式下發《關于抑制產能過剩和重復建設引導平板玻璃行業健康發展的意見》(下稱《意見》),嚴格市場準入,并且叫停新建和擴建項目。   過去一年時間,TCL、京東方等企業不惜巨資投資液晶面板項目,三星、LG、惠普、奇美等企業也加緊在大陸布局,總共有7條液晶生產線落戶中國。這還只是液晶面板的投資,并不包括之前國內企業在其它種類平板玻璃領域的投入。   工信部指出
        • 關鍵字: 三星  液晶面板  

        三星開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

        •   三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司宣稱,這種產品的讀取帶寬 是傳統閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。   即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續讀取速率,同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。   另外一款
        • 關鍵字: 三星  30nm  NAND  

        三星擬明年投資60億美元擴大芯片業務

        •   北京時間12月2日消息,據國外媒體報道,《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱,三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業務。   消息稱,其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業務,2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業務。   三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發布第三季度財報時,三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
        • 關鍵字: 三星  NAND  邏輯芯片  DRAM  

        三星電子2020年銷售額目標4000億美元

        •   三星電子日前發表了“暢想世界、創新未來”,同時制定了2020年銷售額4000億美元,力爭成為最大的IT企業、全球10大企業、品牌價值全球前5、最受尊敬企業全球前10、綠色環保前列企業等目標。   該目標是在本月初三星電子成立40周年的紀念活動上發表的。三星電子CEO李潤雨在致詞中表示:“在公司成立40周年之際,讓我們向成為百年超一流企業的新目標挑戰!”三星電子為實現 vision2020,制定了三大戰略方向,分別為:實現新技術先導、新市場創出、新生活方
        • 關鍵字: 三星  電子  

        某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”

        •   近日,有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”,威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星,海力士等廠商超額訂貨?!俄n國時報》還報道稱蘋果經常采取等待閃存由于供過于求而出現價格下降時,才采購少量閃存的采購策略,這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現積壓現象。   由于海力士與三星兩家廠商的閃存業務對蘋果依賴甚大,因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言,只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
        • 關鍵字: 三星  NAND  

        三星宣布開始量產兩種30nm制程NAND閃存芯片

        •   三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司宣稱,這種產品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。   即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續讀取速率,同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。   另外一款三
        • 關鍵字: 三星  30nm  NAND  

        三星否認欲購并英飛凌

        •   新聞事件:   三星表示無意購并英飛凌   市場上流傳的購并傳聞并不屬實   全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)發言人James Chung表示,三星無意購并英飛凌(Infineon),市場上流傳的購并傳聞并不屬實;此外,英飛凌表示不愿針對市場臆測發表評論。   日前市場傳出英飛凌將遭三星購并的消息,造成英飛凌股價上揚,然三星迅速出面否認購并的可能性。   英飛凌為德國半導體大廠,日前遭遇財務困難以2.43億歐元(約3.65億美元)將有線通訊事業賣給私募基
        • 關鍵字: 三星  存儲器  

        三星否認有意收購德國英飛凌

        •   11月25日消息,韓國三星電子周三表示,對德國芯片廠商英飛凌沒興趣,關于有意與英飛凌討論并購一事也不正確。
        • 關鍵字: 三星  芯片  英飛凌  

        09年半導體市場下滑幅度小于預期,三星表現出色

        •   全球半導體產業2009年幾乎沒有什么值得高興的事情,營業收入預計下降12.4%,且10大供應商中只有一家實現增長。但是,飽受打擊的芯片制造商還有一點可聊以自慰:情況沒有變得更糟糕。   “2009年營業收入比2008年銳減320多億美元,它將作為全球半導體行業史上最糟糕的年份之一留在人們的記憶之中,”iSuppli公司的高級副總裁Dale Ford表示,“但iSuppli公司下滑12.4%的初步估計,遠遠好于2009年初預期的暴跌逾20%。”   &
        • 關鍵字: 三星  半導體  

        手機內存:NAND優勢愈加明顯,NOR風光不再

        •   市場研究機構水清木華日前發布"2009年手機內存行業研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
        • 關鍵字: 三星  NAND  NOR  RAM  

        三星加速制程微縮 DRAM進入40納米世代

        •   三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導入40納米制程,第4季已開始小幅試產DDR3,預計2010年下半40納米將成為主流制程,成本結構再度領先競爭同業,而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產出,爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程,之后跳40納米制程,2010年全球DRAM產業成本進一步下滑。   三星目前56納米制程DRAM產能比重超過一半,并已開始小量采用新一代的40納米制程生產DDR3芯片,成本結構再度領先同業,市調機構預估,
        • 關鍵字: 三星  40納米  DRAM  

        三星電子將耗資87億美元擴大LCD產能

        •   根據彭博報導,全球最大液晶面板廠韓國三星電子(Samsung Electronics)計劃以10兆韓元 (折合87億美元),投入韓國Tangjung廠,以擴大面板生產。   三星發言人James Chung今天接受電話訪問,證實東亞日報相關報導。他指出,三星將于2011年至2015年進行投資,藉此擴大液晶顯示器(LCD)生產。
        • 關鍵字: 三星  液晶面板  

        三星斥資13億美金獲高通15年專利使用權

        •   三星近日斥資13億美元,以獲得未來15年使用高通在CDMA、WCDMA和OFDMA方面專利的權利。   三星在提交給首爾證券交易所的聲明中稱,三星通過支付預付款來獲得使用高通在無線技術包括CDMA方面技術的許可,此外三星還將授權高通使用其在移動技術方面57%的專利,技術交叉許可協議中包括使用在手持設備和基站的4G無線技術。   由于三星和高通剛剛修訂了兩家公司特許權使用費的相關條款,所以三星本次支付的專利授權使用費較以往大大降低。據悉,根據三星與高通協議,三星將支付13億美元來獲得使用高通在CDM
        • 關鍵字: 三星  CDMA  OFDMA  移動技術  

        三星加大半導體制程技術研發力度

        •   韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術的研發力度,該公司最近成立了新的半導體研發中心,該中心將與三星現有的內存芯片制程技術研發團隊一起合作, 進行新半導體材料,晶體管結構以及高性能低功耗半導體技術的研發。另一方面,三星旗下的芯片廠除了正在積極準備45nm制程芯片的量產,同時作為IBM技 術聯盟的一員,也在積極研發下一代32nm/28nm制程技術.   三星表示,新研發中心與現有的內存芯片制程技術研發團隊的強強組合,將極大推動三星半導體制程技術的發展速度,有助于提升三星Hig-K,3D晶體管以及極
        • 關鍵字: 三星  內存芯片  

        三星宣布新層疊封裝技術 8層僅厚0.6mm

        •   三星公司今天宣布,該公司已經成功開發出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術,將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內,厚度僅為0.6mm,比目前常見的8層封裝技術厚度降低一半。三星的這項技術最初是為32GB閃存顆粒設計的,將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內,每層晶片的實際厚度僅為15微米,最終封裝完成的芯片才實現了0.6mm的厚度。據稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機和移動設備設計者在存儲模塊上節省40%的空間和重量。   三星稱,這項層疊封裝新技術的關鍵
        • 關鍵字: 三星  封裝  Multi-die  
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        三星介紹

         韓國三星電子成立于1969年,正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元,躍入中國一流企業的水平。2003年,三星品牌價值108.5億美元,世界排名25位,被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]

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