三星加速制程微縮　DRAM進入40納米世代

　　三星電子(Samsung　Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程，成本結構再度領先競爭同業，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產出，爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產業成本進一步下滑。

　　三星目前56納米制程DRAM產能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產DDR3芯片，成本結構再度領先同業，市調機構預估，年底前三星40納米制程由于剛開始，因此產能比重還停在個位數，預計2010年第1季40納米制程產能可超過10%。

　　目前全球DRAM產業是4大陣營各占一方，雖然幾乎沒有新產能加入，但制程微縮和合作對象的改變，也牽動各廠版圖風貌。

　　以 2009年第3季全球市占率來看，三星電子仍是穩坐全球龍頭，市占率超過30%，海力士(Hynix)市占率也超過20%，穩居二哥寶座，其次是爾必達和美光，兩者合計策略聯盟廠商，原本市占率相當接近，但爾必達市占率逐漸提升，拉開雙方距離，然預計2010年各自導入新制程后，將會再有一番纏斗。

　　相較于三星DRAM制程再度領先，海力士也將同步導入40納米制程，而美光陣營包括南亞科和華亞科等，2010年將大量產出50納米制程，由于華亞科整體13萬片產能相當可觀，預計2010年可協助美光陣營擴展市占率。

　　再者，爾必達陣營也即將導入Extra 65納米制程，在不用額外增添太多的資本支出下，維持成本下降的競爭力，業界也認為，爾必達Extra 65納米制程的成本競爭力，其實不輸海力士50納米制程，加上2010年茂德為爾必達代工產能加入，也看好2010年爾必達的成長性。

　　整體來看，三星目前仍是制程領先者，臺廠原本兩個世代制程，2010年可逐漸追上，2010年全球DRAM產業逐漸走向50/40納米制程，驅動產業生產成本進一步下滑。