三星宣布新層疊封裝技術 8層僅厚0.6mm

　　三星公司今天宣布，該公司已經成功開發出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術厚度降低一半。三星的這項技術最初是為32GB閃存顆粒設計的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內，每層晶片的實際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實現了0.6mm的厚度。據稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機和移動設備設計者在存儲模塊上節省40%的空間和重量。

　　三星稱，這項層疊封裝新技術的關鍵在于突破了傳統技術中每層厚度不能低于30微米的瓶頸。通常情況下，如果層疊封裝中的單層厚度小于30微米，則芯片對外部壓力的承受能力將無法達到標準。三星的新技術將這一厚度縮小了一半，既可以造出更薄更輕的堆疊封裝芯片，也可以在同樣厚度下實現雙倍的容量。除了 這種層疊封裝外，該技術也能夠在其他Multi-die封裝技術如SiP、PoP中應用。