臺積電28納米SRAM良率突破

　　臺積電24日宣布率業界之先，不但達成28納米64Mb SRAM試產良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的良率。

　　臺積電研究發展副總經理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗證，是一項傲人的成就。更值得一提的是，此項成果亦展現我們兩項高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last方法而獲得的制造效益。”

　　臺積電先進技術事業資深副總經理劉德音博士表示：“這項突破突顯出臺積電28納米工藝的能力與價值。我們不僅有能力延伸傳統慣用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride)材料至28納米世代，也能夠同時推出28納米的高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)材料的工藝。”

　　臺積電28納米工藝的開發與導入量產計劃，完全符合2008年九月所宣布的技術藍圖在進行。28LP工藝預計于2010年第一季底進行試產，接著28HP工藝于第二季底試產，28HPL則于第三季試產。

　　28LP工藝具備可快速上市以及低成本的特性，特別適用于手機與各式行動應用。28HP工藝則適用于中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、芯片組(Chipset)與可程式化閘陣列(FPGA)、網絡、游戲主機與行動計算等高效能導向之應用。至于28HPL工藝則強調低耗電、低漏電與中高效能的特性，可用以支援諸如手機、智能上網本(smart netbook)、無線通訊與可攜式消費性電子等低漏電導向之應用。

　　臺積電28納米工藝均擁有完備的設計架構，奠基于臺積電的開放創新平臺(Open Innovation Platform)，延伸出多強而有力的技術生產各式不同的產品。