美大學研究人員發明半導體制作新工藝

　　美國北卡羅來納大學與賴斯大學的科學家最近發明了一種新的半導體制作工藝，研究人員稱這種發明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強的處理器。該項發明研究了一種新的硅半導體雜質摻雜方法，科學家們稱之為“單分子層嫁接”。過去，半導體是通過向硅晶體內部摻雜雜質而制成的，但隨著半導體工藝的發展，晶體管的尺寸也越來越小，這樣就很容易出現不同器件之間摻雜度存在差異的情況，造成器件間的性能差異。

　　為了解決這個問題，這項新發明改變了向半導體中摻雜雜質的方法，改將雜質分子附著在硅晶體的表面，而不是將其注入晶體內部。使用這種方法可以得到與傳統制作方法相似的效果，但對納米級器件則更為適用。

　　研究人員并稱：“對Intel，鎂光，三星等半導體廠商來說，我們的發明意義重大，我保證他們已經在嘗試使用我們的方案了。”