3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業務報告稱，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開始量產。由于該工藝專注于人工智能等高性能計算（HPC）領域，預計將在三星代工業務的復蘇中發揮關鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進的后端連線（BEOL）技術，能夠顯著提升芯片的整體性能，同時降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓印（Nano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術，并計劃將新型芯片制造設備的價格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領域取得進展。納米壓印技術是極紫外光刻（EUV）技術的低成本替代品。佳能首席執行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術將為小型芯片制造商生產先進芯片開辟出一條道路。“這款產品的價格將比阿斯麥的EUV少一位數，”現年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
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摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案。●? ?業界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率。●? ?集成的設計流程提升了開發者的生產率，提高了仿真精度，并加快產品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業界領先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產品，為追求更高預測精度
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8月2日消息，英特爾、三星和臺積電都在吹噓他們能在一個小小的芯片上塞進多少晶體管，但就事實而言，這種宣傳中的納米級尺寸幾乎沒有任何意義。業內專家稱這種說法都是無稽之談，事實上的芯片“節點”尺寸遠大于廠商們宣傳的數值。制造用于智能手機、電視和其他電子產品的芯片廠商們總喜歡吹噓自家產品的強大算力。他們還夸口說，完成所有復雜工作的芯片體積正在不斷縮小。對于芯片制造商來說，芯片晶體管的日趨小型化標志著處理速度不斷提高或能源消耗不斷降低，有助于贏得利潤豐厚的合同。但是，關于芯片小型化的競爭導致市場一片混亂。多少納米
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5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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中科院今天宣布,國內學者研發出了一種簡單的制備低維半導體器件的方法——用“納米畫筆”勾勒未來光電子器件,它可以“畫出”各種需要的芯片。隨著技術的發展,人們對半導體技術的要求越來越高,但是半導體制造難度卻是越來越大,10nm以下的工藝極其燒錢,這就需要其他技術。中科院表示,可預期的未來,需要在更小的面積集成更多的電子元件。針對這種需求,厚度僅有0.3至幾納米(頭發絲直徑幾萬分之一)的低維材料應運而生。這類材料可以比作超薄的紙張,只是比紙薄很多,可以用于制備納米級別厚度的電子器件。從材料到器件,現有的制備工藝
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如何不斷提升5G性能，持續擴展5G生態，成為2020年行業重點考慮的5G發展議題。近日，Qualcomm舉辦了一場線上新聞發布會，聚焦5G發布了多款全新產品，Qualcomm首席執行官史蒂夫·莫倫科夫（Steve Mollenkopf）和總裁安蒙（Cristiano Amon）攜手來自三星、愛立信、Facebook、微軟公司、樂天公司的合作伙伴，共同分享和探討了5G網絡和終端發展新態勢，并展望未來5G演進方向以及在更多行業開創的新機遇。Qualcomm首席執行官史蒂夫·莫倫科夫發表演講雖有挑戰 5G發展勢
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新聞摘要：? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業內最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領域的領先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
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“智能玻璃”是一種節能產品，在汽車、建筑和飛機窗戶上都能找到它的身影。但是，智能玻璃通常需要幾分鐘才能達到暗沉狀態，而且長時間在明暗之間反復循環，也會降低著色質量。據外媒報道，科羅拉多州立大學（Colorado State University）的化學家們，通過更好地了解智能玻璃在納米尺度下的工作原理，提出納米級智能玻璃設計方法，或將提高智能玻璃的變色速度和耐用性。
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作者/Dan McNamara 英特爾公司高級副總裁兼可編程解決方案事業部總經理 基于 10 納米技術構建的全新英特爾? FPGA 提供了比前代FPGA 更高的性能，并且降低了能耗從邊緣到網絡再到云，以數據為中心的計算新時代已經到來。海量數據對處理數據的硬件、軟件和解決方案的靈活性和敏捷性提出了迫切的需求，無論數據在何處創建、傳輸與存儲。 數據的激增和利用數據盈利的競爭正在為客戶創造新的機會，幫助他們在各個細分市場進行創新。其中，現場可編程邏輯門陣列 (FPGA) 一直備受矚目。 因此，在英特爾
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隨著半導體行業塌縮到更小的節點和/或采用 3D
NAND等復雜的體系結構，以繼續追趕或取代摩爾定律，業界關注的焦點往往是制程優化和化學配方改良。業界似乎很少考慮輔助技術，而此類技術對于滿足當今細微特征和復雜結構的需求而言同樣重要。在半導體制造制程中，以前化學品的交付并未被視為關鍵領域之一，但現在正變得越來越重要。 以加侖玻璃瓶為例，它用于包裝、存儲、運輸和交付潔凈的制程用化學品，如光刻膠、蝕刻劑、前驅體、電介質等。多年來，這些容器對于當時的任務而言是適合的而且經濟上很劃算。然而，
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定義：不是所有尺寸小于100nm納米材料都叫納米科技納米科技廣義的定義，泛指尺寸小于100nm(納米)的材料，而研究納米材料的科學技術泛稱為「納米科技(N
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中國投入進行納米科研已有數十年時間，已經成為當今世界納米科學與技術進步重要的貢獻者，部分基礎研究居國際領先水平，中國納米科技應用研究與成果轉化的成效也已初具規模。這一判斷來自由施普林格?自然集團、國家納米科學中心和中國科學院文獻情報中心29日在第七屆中國國際納米科學技術會議上聯合發布的《國之大器 始于毫末—中國納米科學與技術發展狀況概覽》(中英文)白皮書。
8月29日，第七屆中國國際納米科學技術會議在北京召開，大會吸引來自全球30多個國家和地區的2000多名代表出席。在大會開幕式上，
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近日，中國科學技術大學教授俞書宏課題組與李震宇課題組合作，在多形體硫化物半導體的設計合成及光電轉換應用方面取得了新進展。研究成果以封面論文發表在9月26日出版的《美國化學會志》(J. Am. Chem. Soc. 2016,138(39), 12913-12919)上，并被JACS Spotlights選為研究亮點。
新穎的納米晶材料的合成及其形成機理是目前膠體濕化學方法合成納米晶研究的重點。硫化銅(Cu2-xS)是一類傳統的半導體材料，隨著x值的變化呈現出不同的晶體結構，當x值增加時，其禁帶寬
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膠體顆粒，比如量子點和金屬納米顆粒，它們正成為微電子、可再生能源以及醫學領域傳感/施藥等應用的重要設備。不幸的是，使用光子、聚焦離子束或電子束的標準光刻方法不能在固體基板上圖案化這些顆粒。光學鑷子提供強大的性能以全面操作這些顆粒，然而，使顆粒固定到基板上仍充滿挑戰性。此外，光學鑷子的高功率運行狀態(高達100 mW/μm2)限制了其應用范圍。
得克薩斯大學奧斯汀分校的研究人員研發出一種獨特的方法，采用功率非常低的激光器在電漿基板和含有膠體納米顆粒的液體溶液之間的界面位置生成微泡。這種&ld
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納米介紹
納米是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。納米科學與技術，有時簡稱為納米技術，是研究結構尺寸在1至100納米范圍內材料的性質和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統材料所不具備的奇異或反常的物理、化學特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時開始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [
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