臺積電與CEA-Leti合作推動無光罩微影技術

　　為積極朝向22納米制程技術前進，臺積電宣布與法國半導體研究機構CEA-Leti簽訂合作協議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產業研究計畫，就半導體制造中的無光罩微影技術進行合作，這項計畫為期3年。日前曾傳出，由于經濟前景不明，部分設備商延后22納米制程技術研發，臺積電此舉則希望更積極主動推動22納米無光罩微影技術。

　　這次臺積電參與的CEA-Leti IMAGINE研究計畫為期3年，所有參與這項計畫的公司都可取得無光罩微影架構供IC制造使用，也可以藉由設備商Mapper所提供的技術提高生產效率。這項研究計畫包涵了無光罩技術的設備評估、制像與制程整合、資料處理、原型制作與成本分析等多項技術。

　　臺積電研發副總孫元成表示，推動具成本效益的微影技術，而發展無光罩微影技術即是潛在的解決方案之一。之前臺積電已宣布與Mapper一同開發多重電子束微影技術，供22納米及更先進的制程使用，這次藉由參與CEA-Leti的IMAGINE研究計畫，希望與半導體產業結盟，加速無光罩微影技術在IC制造領域的發展與推廣。

　　CEA-Leti總執行長Laurent Malier也指出，微影技術是半導體產業的一項主要挑戰，未來采用無光罩的解決方案可提供彈性與得到機臺的成本優勢，同時與設備商Mapper相結合，也看到了提升生產效率的可能性。這次臺積電的加入對IMAGINE研究計劃相當重要，從臺積電的角度，不僅可強化制造可行性的評估，同時重量級業者參加，也將帶領無光罩微影技術邁向發展進程下一步，成為可運用在22納米制程的解決方案。

　　臺積電日前表示，目前Fab12 P4已經導入機器設備，接下來將做為臺積電的研發總部，未來將投入28、22納米制程技術研發與先期量產工作。臺積電于45納米導入浸潤式微顯影(immersion lithography)也是與設備商ASML共同開發的成果，而在22納米制程技術以下，臺積電除了與ASML共同合作深紫外光(EUV)解決方案，也尋求無光罩微顯影的解決方案。