- 2023 年 4 月 11 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出基于22nm制程的首顆微控制器（MCU）。通過采用先進的工藝技術，瑞薩可以為用戶提供卓越的性能，并通過降低內核電壓來有效降低功耗。先進的工藝技術還提供了更豐富的集成度（比如RF等），能夠在更小的裸片面積上實現相同的功能，從而實現了外設和存儲的更高集成度。此次采用全新22nm工藝生產的首顆MCU，擴展了瑞薩廣受歡迎的基于32位Arm? Cortex?-M內核的RA產品家族。該新型無線MCU支持低功
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瑞薩 22納米 微控制器
- 聯華電子與Cadence于今(8月24)日共同宣布，Cadence的模擬與混合信號(Analog/Mixed Signal, AMS)芯片設計流程獲得聯華電子22納米超低功耗 (22ULP)與22納米超低漏電(22ULL)制程認證，此流程可優化制程效率、縮短設計時間，加速5G、物聯網和顯示等應用設計開發，滿足日漸增高的市場需求。 聯電的22納米制程具有超低功耗和超低漏電的技術優勢，可滿足在科技創新發展下，使用時間長、體積小、運算強的應用需求。經聯電認證的Cadence AMS設計流程，提供了整合
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聯電 Cadence 22納米 模擬與混合信號
- 武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)，一家國內領先的12寸晶圓制造公司今日宣布，已經與中國科學院微電子研究所、清華大學、復旦大學、上海微系統所簽署了一項IP聯合授權協議。根據該協議，武漢新芯將獲得這四家研發機構廣泛而全面的多項專利授權。
此次中科院微電子所等4家研發機構將長期積累的包涵20納米以下集成電路創新技術的近1500件知識產權組成聯合專利池整體使用許可授予武漢新芯公司，極大地擴展了武漢新芯的知識產權覆蓋面，提升了武漢新芯未來的企業競爭力。武漢新芯執行長楊士寧博士表示：“中國
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武漢新芯 22納米
- 中國武漢—武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)，一家國內領先的12寸晶圓制造公司今日宣布，已經與中國科學院微電子研究所、清華大學、復旦大學、上海微系統所簽署了一項IP聯合授權協議。根據該協議，武漢新芯將獲得這四家研發機構廣泛而全面的多項專利授權。
此次中科院微電子所等4家研發機構將長期積累的包涵20納米以下集成電路創新技術的近1500件知識產權組成聯合專利池整體使用許可授予武漢新芯公司，極大地擴展了武漢新芯的知識產權覆蓋面，提升了武漢新芯未來的企業競爭力。武漢新芯執行長楊士寧博士表
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新芯 22納米
- 說起先進的半導體工藝，Intel、IBM、臺積電、三星電子這些耳熟能詳的名字肯定會立刻出現在大家的腦海中，而因為各方面的限制，國內在這方面的差距還非常非常大，只有中芯國際能拿得出手，但也總比國外落后幾個時代。
不過據《中國科學報》最新消息，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心(以下簡稱先導工藝研發中心)通過4年的艱苦攻關，在22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設上，實現了重要突破，在國內首次采用后高K工藝成功研制出包含先進高K/金屬柵模塊的22納米柵長MOSFETs，器件性能良好。
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22納米 半導體
- 我國在22納米技術這一高端研發上有所建樹——4年前，這會被看做是天方夜譚。然而，中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心團隊實現重大突破，讓這一夢想成真。到目前為止，全球也只有英特爾公司在22納米技術代實現了大規模生產。
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中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心(以下簡稱先導工藝研發中心)通過4年的艱苦攻關，在22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設上，實現了重要突破，在國內首次采用后高K工藝成功研制出包含先進高K/金屬柵模塊的22納米柵長MOSFE
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英特爾 22納米
- − 在今年底之前，加速擴展基于英特爾創新的22納米制程技術的數據中心處理器產品線。
− 旨在通過英特爾機架式架構而徹底改變服務器機架設計，以提高服務器的靈活性、密度和利用率，從而降低總體擁有成本。
− 適用于微型服務器、研發代號為“Avoton”的下一代64位英特爾®凌動™處理器正在向客戶提供樣品，預計在今年下半年全面發售。
− 第四代英特爾酷睿處理器現已向客戶出貨，并將在二季度末發布。
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英特爾 處理器 22納米
- 北京時間12月12日消息，據國外媒體報道，英特爾當地時間周二推出了主要采用低能耗技術的數據中心芯片，英特爾此舉旨在加強自己在新興的微處理器市場的競爭力。目前，英特爾的這款產品已經得到社交媒體Facebook部分高管的認可。
英特爾日前宣布，采用最新一代22納米制造工藝生產的芯片將于2013年量產，與高通等企業爭奪快速發展的移動設備市場。同英特爾此前設計的服務器芯片相比，本周二推出的這款凌動芯片相比此前的英特爾服務器芯片耗電量更少。不過，諸多英特爾的競爭對手也已經將自己的目光投向了低能耗服務器市場
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英特爾 微處理器 22納米
- 12月11日消息，據國外媒體報道，英特爾本周一在舊金山舉行的一個行業會議上展示了新的芯片生產技術。這些新技術將使英特爾按計劃推出用于智能手機和平板電腦的新一代芯片。目前，英特爾正在迅速增長的移動市場追趕高通等競爭對手。
英特爾在PC行業占統治地位。但是，在依賴電池和需要電源效率的移動設備方面，英特爾處理器的應用一直很遲緩。
英特爾展示了制造22納米系統芯片的加工技術。英特爾在一份展示文件中稱，英特爾22納米系統芯片技術將在2013年投入大批量生產。
英特爾目前的移動系統芯片是采用32
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英特爾 芯片 22納米
- 兩家IT巨頭的戰爭才真正開始。近日，海外消息人士發帖稱，微軟計劃在2013年發布三款全新的Surface平板電腦，以不同尺寸和配置全面對抗蘋果各款iPad產品。
據悉，新款平板電腦Surface RT 2將配置8.6英寸屏幕，使用高通芯片而非Nvidia公司的Tegra 3。另一款名為Microsoft Pro的平板電腦將配置11.6英寸屏幕，搭載AMD公司的Temash APU。還有一款Surface Book產品將配置14.6英寸顯示屏，并采用22納米制程的英特爾Haswell芯片。
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微軟 平板電腦 22納米
- 據外電消息報道，RBC Capital(加拿大皇家銀行資本)的分析師艾米特達亞納尼(Amit Daryanani)周五發布了一份研究報告，分析了最有可能成為蘋果產品處理器供應商的幾家廠商。他認為，三星目前仍然是蘋果產品的獨家處理器供應商。
但是業內人士相信，蒂姆庫克(Tim Cook)不想永遠依賴于一家公司，更何況這家公司還被他指控為竊取了蘋果的知識產權并且正在不斷與蘋果搶奪智能手機市場份額。艾米特達亞納尼就此進行分析。
達亞納尼稱，更換供應商并不是一件容易的事。蘋果為最新版iPhone和
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ARM 處理器 22納米
- 不久前在日本京都舉行的VLSI技術研討會上提交的研究結果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內的幾家主要SOI晶圓供應商表示，他們已經為超薄襯底的SOI晶圓的規模化生產做好了準備。這些絕緣層上硅的厚度只有不到10納米，而且均勻性控制在艾米量級SOI晶圓對生產合格的全耗盡型晶體管是至關重要的。
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- 除卻軟件操作系統MeeGo，英特爾正試圖通過22納米制程芯片進軍移動市場，但遲遲不見可以量產的產品，這一點似乎讓英特爾進軍移動市場的技術和雄心都擱淺在了假設階段。
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英特爾 22納米
- SEMI研究報告最新研究報告顯示，2010年全球半導體光刻掩膜板市場達到了30億元規模，預估2012年這一數字可達32億美元。由于有2008和2009連續兩年的簽約保障下，半導體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%，而未來兩年光刻掩膜板市場則預計將有7%和2%的成長。
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光刻掩膜板 22納米
- 最早由貝爾實驗室在1947年開發的晶體管非常大，以至于可用手直接進行組裝。與之形成強烈對比的是，一個針頭上就可以容納超過1億個22納米三柵極晶體管。
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