驍龍820參數(shù)曝光 聯(lián)發(fā)科海思能否應對還看臺積電

　　對于驍龍810的發(fā)熱問題，業(yè)內(nèi)早已唏噓不已，高通下一代產(chǎn)品驍龍820便承載了眾多品牌手機廠商的更多期待。臺灣媒體雖表示受到高通將于當?shù)貢r間8月11日(下周二)在美國洛杉磯發(fā)布驍龍820的邀請。今日，業(yè)內(nèi)知名分析師潘九堂在微博曝光驍龍820的路線圖和完整參數(shù)，糾正了這一傳聞。圖中顯示2015年內(nèi)驍龍820將實現(xiàn)量產(chǎn)，終端的上市時間也將會在明年初。

　　根據(jù)圖中參數(shù)顯示，高通驍龍820(MSM8996)采用三星14nm工藝，采用全新基帶，支持LTE Cat.10標準，下載峰值速度可達450Mbps，自有四核Kyro架構，支持雙通道LPDDR4 1886MHz內(nèi)存，GPU搭配Adreno 530，性能提高40%，功耗降低30%，最高支持2800萬像素攝像頭。

　　據(jù)潘九堂透露，小米5、樂視、一加、nubia、神奇ZUK等互聯(lián)網(wǎng)品牌都有希望搭載高通驍龍820，此前三星Galaxy S7 也傳出將放棄自家處理器回歸高通懷抱。

　　反觀聯(lián)發(fā)科，在曦力Helio X20的“十核”“Tri-Cluster”架構給了業(yè)內(nèi)一擊后，下一代處理器Helio X30更進一階，保持十核，遞進“四叢集”架構進一步優(yōu)化性能與功耗比。相比高通的自有架構，聯(lián)發(fā)科另辟蹊徑。

　　此前知情人士曝光，Helio X30采用臺積電16nm FinFET工藝制造，集成兩顆 1 GHz的Cortex-A53核心、兩顆 1.5 GHz的Cortex-A53核心、兩顆 2 GHz的Cortex-A72 核心以及四顆 2.5 GHz的Cortex-A72核心，內(nèi)存支持雙通道LPDDR4 1600MHz，存儲部分支持eMMC 5.1規(guī)范。GPU方面，繼續(xù)搭載Mali-880四核芯片或ARM預期揭曉的全新GPU，相機像素最高可支持到4000萬，預計明年初推出。

　　在Helio X20溝通會時，聯(lián)發(fā)科產(chǎn)品規(guī)劃總監(jiān)李彥輯曾表示，Tri-Cluster架構比以往雙叢集架構處理器降低高達30%的功耗。如果Helio X30處理器的架構再增加一個叢集，以聯(lián)發(fā)科的優(yōu)勢又將降低多少功耗，值得期待。目前Helio X20已支持到LTE Cat.6標準，相信短期內(nèi)Helio X30也不會有更多提高，仍將維持在LTE Cat.6。

　　簡單從參數(shù)上對比可見，聯(lián)發(fā)科正逐漸縮小與高通處理器的差距。近日，關于驍龍820發(fā)熱的新聞也有傳出，聯(lián)發(fā)科Helio X20還未量產(chǎn)，全新架構孰勝孰敗仍需時間考驗。高通因臺積電16nm進展太慢轉(zhuǎn)單三星，臺積電還需為蘋果保證產(chǎn)能分配，聯(lián)發(fā)科和華為海思下一代處理器的上市時間還將受其影響。