臺積電10奈米制程將于明年試產

　　將在6月24日召開股東會的臺積電(2330)，股東會年報已先出爐，預估未來5年全球半導體市場年成長率僅3~5%，臺積電的成長將顯著超越全球半導體市場;而在高階制程進展上，臺積電也明確提到10奈米制程將于明年試產、2016年量產。

　　在致股東報告書中，臺積電董事長張忠謀指出，相較半導體產業表現，臺積電自成立27年以來，其中25年業績成長皆顯著高于整體半導體產業水準。

　　內容指出，2013年是臺積電營收及獲利再創高峰的1年。4年前，臺積電洞察半導體產業將因智慧型手機與平板電腦等行動運算裝置的問市，而有絕佳的成長機會，因而大筆投資于研發與資本支出，如今證明，行動運算產品果然引領潮流，觸發新一波的成長動能。

　　臺積10nm明年試產，未來5年半導體年增僅3~5%臺積成長勝產業

　　28奈米市占逾8成

　　在先進制程中，張忠謀說，晶片設計公司快速采用臺積電28奈米制程技術，以追求性能更卓越、更低耗電、晶片尺寸更小的行動運算產品，2013年28奈米晶圓的出貨量及銷貨收入，帶來近乎3倍成長，創下超過80%市占率。

　　延續28奈米制程技術的成功，臺積電20奈米系統單晶片繼2013年接受客戶的產品設計定案后，已于2014年進入量產，將排入許多產品設計定案，預期20奈米制程將較28奈米制程更快進入量產，并將成為驅動臺積電2014及2015年顯著成長的動力。

　　關于20奈米制程之后的16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)架構，已于2013年11月進入試產、2014年初如期完成制程驗證，并預計在2015年、也就是20奈米量產后的1年內，達成量產時程目標，預計今年排入超過20個來自不同客戶、橫跨多種應用的產品設計定案。同時，也正在發展可較16-FinFET制程效能更高15%的16-FinFET制程強效版16-FinFET+。

　　著手7奈米制程開發

　　值得一提的是，臺積電也首次明確指出10奈米制程量產時間。張忠謀說，2013年開始進行10奈米技術的開發，并計劃于2015年試產、2016年量產，而10奈米技術將是繼16-FinFET制程及強效版制程之后的第3代FinFET制程，其效能與密度預計將為業界第1。在此同時，臺積電也正著手于7奈米制程的開發。

　　臺積電10奈米制程將于明年試產

　　至于在臺積電的設計生態系統「開放創新平臺」方面，張忠謀強調將持續協助客戶快速利用先進技術縮短產品上市時程，當中臺積電的「開放創新平臺」，提供全球積體電路制造服務領域規模最大的元件資料庫與矽智財組合，2013年已拓展至超過6300件。