又一個要取代矽的新型二維半導體：黑磷

　　近年來，二維晶體材料因其優越的電氣特性，成為半導體材料研究的新方向。繼石墨烯、二硫化鉬之后，本月初，在《自然·納米技術》雜志??上，復旦大學物理系張遠波教授課題組發現了一種新型二維半導體材料——黑磷，并成功制備了相應的場效應晶體管器件，它將有可能替代傳統的矽，成為電子線路的基本材料。

　　二維晶體是由幾層單原子層堆疊而成的納米厚度的平面晶體，比如大名鼎鼎的石墨烯，但是石墨烯沒有半導體帶隙，即分隔電子導電能帶(導帶)和非導電能帶(價帶)之間的無人禁區，也就是說它難以完成導體和絕緣體之間的轉換，不能實現數字電路的邏輯開與關。同樣由單原子層堆疊而成的黑磷，則具有一個半導體帶隙。

　　“兩年前中國科技大學的陳仙輝教授告訴我他們可以生長黑磷時，當時直覺就告訴我，這有可能是一個很好的半導體材料，”張遠波教授說，“果然，現在我們把黑磷做成納米厚度的二維晶體后，發現它有非常好的半導體性質，這樣就有可能用在未來的集成電路里。”

　　他們發現，黑磷二維晶體有良好的電子遷移率(~1000cm2/Vs)，還有非常高的漏電流調制率(是石墨烯的10000倍)，與電子線路的傳統材料矽類似。

　　除了電性能優越以外，黑磷的光學性能同包括矽和硫化鉬在內的其他材料相比也有巨大的優勢。它的半導體帶隙是直接帶隙(如圖)，即電子導電能帶(導帶)底部和非導電能帶(價帶)頂部在同一位置，實現從非導到導電，電子只需要吸收能量(光能)，而傳統的矽或者硫化鉬等都是間接帶隙，不僅需要能量(能帶變化)，還要改變動量(位置變化)。

　　這意味著黑磷和光可以直接耦合，這個特性讓黑磷成為未來光電器件(例如光電傳感器)的一個備選材料，可以檢測整個可見光到近紅外區域的光譜。這些初步的研究結果，遠沒有達到黑磷性能的極限，還有極大的拓展空間。張遠波教授表示，黑磷還只是一個剛剛被發現的材料，現在其前景作任何的推斷都還太早。