飛利浦擴展LFPAK封裝的功率MOSFET系列

皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產品系列，推出創新性的SOT669無損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對DC/DC轉換器應用而設計，具有體積更小、效率更高、性能更加優化等特點，可用于眾多新應用，如筆記本電腦、臺式機、服務器、高頻應用等。
飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻，以增強功率功能。MOSFET還具有低封裝電感，從而提高了開關速度，使飛利浦LFPAK封裝的MOSFET產品特別適用于企業計算等高頻應用。
小體積與卓越的熱性能使功率損失降到最低，以幫助要求盡量減小產品體積的制造商能夠開發體積更小、效率更高的設計，同時減少元件的數量。
亞洲的工程師正在持續地努力提高高功率密度應用中的功率性能，如筆記本電腦和DC/DC轉換器，使對功率密度要求很高的應用能夠體積更小化。亞洲是這些應用產品的主要生產地之一。飛利浦的LFPAK封裝MOSFET滿足了這些要求，不但性能比SO8封裝好，同時維持引腳不變。SOT669 LFPAK專門針對功率封裝設計，不同于專門為開關而設計的SO8封裝。
飛利浦半導體LFPAK產品的國際產品營銷經理Jim Jordan說：“隨著設備對功率要求不斷提高，由于產品需要小型化，主板的空間非常有限。這就需要體積更小、效率更高的功率封裝。”
“有了新的LFPAK封裝MOSFET，我們能夠滿足亞洲生產商對尺寸、功率管理的要求，使他們能夠開發體積更小、效率更高的產品，同時運行溫度比其他同類產品要低得多。”
通過結合更大功率封裝突出的熱性能與降低了40%只有1.1mm的厚度，新推出的LFPAK封裝MOSFET具有封裝尺寸小和優化的功率性能。在某些情況下，設計師們能夠減少應用所需的功率封裝數，從三個SO8封裝減少到兩個LFPAK。
對傳統的功率封裝而言，最主要的熱路徑一般是從封裝底部下行，進入印刷電路板。LFPAK還從封裝的頂部分散熱量，相對SO8來說，優化了散熱性能，并提供更優越的熱阻。LFPAK MOSFET的電感值比SO8的要低50%，從而加快了開關速度。LFPAK封裝MOSFET還使電源的功率轉換到應用更加有效，從而延長電池或電源的壽命。
除了提供優化的電源性能外，飛利浦的LFPAK封裝MOSFET的熱性能使散熱特別容易，從而保持運行所需最低的溫度，這對于象筆記本電腦等應用來說是非常重要的性能，因為在這些應用中，運行溫度對整體性能非常關鍵。
供貨情況
LFPAK封裝的MOSFET目前已可接受1萬臺數量的定貨。