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        雙動作射頻-微機電系統開關適合片上系統集成

        作者:電子設計應用 時間:2004-01-17 來源:電子設計應用 收藏
        世界知名的半導體供應商(紐約股票交易所:STM)日前公布了一項有關使用微機電系統(MEMS)技術在采用標準互補MOS半導體技術制造的電路內集成高性能射頻(RF)開關的創新技術的細節。新的射頻開關可望提高移動電話及類似終端的性能,因為這類應用需要高效的射頻開關,以最大限度地降低功耗,提高電池的使用壽命。

        為了通過從一個標準轉換到另一個標準或高效控制傳輸功率使便攜終端全面適應工作環境,設備制造商不斷提高對靈活性更高的單片開關功能更強的射頻芯片的需求。雖然半導體被廣泛用于便攜應用的射頻開關,但是,在總體上,半導體開關不如基于MEMS的開關更有吸引力,因為后者在隔離、插入損耗和線性等性能方面更加優異。然而, RF-MEMS開關盡管在眾多的航天和電信應用中建立了優勢,但是,在大規模市場如移動電話及終端市場上的可行性卻關鍵取決于在低價單片系統器件(SoC)內集成這些開關的能力。

        ST與研究伙伴合作開發的“IC上”微開關解決方案滿足了高可靠性、低功耗、低驅動電壓和SoC制造技術兼容性等四個主要標準,開關內的活動元器件由一個極小的氮化硅橫梁(400 x 50



        關鍵詞: 意法半導體

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