英國開設全球第二個5納米以下電子束光刻中心

近日，英國南安普敦大學宣布成功開設了一個尖端電子束光刻（EBL）中心。這是日本以外全球首個分辨率達5納米以下的中心，也是歐洲首個此類電子束光刻中心。該中心能夠制造下一代半導體芯片。
據南安普敦大學介紹，該電子束光刻中心采用日本JEOL公司的加速電壓直寫電子束光刻系統。這是全球第二臺200kV系統（JEOL JBX-8100 G3），第一臺在日本。該系統可在200毫米晶圓上實現低于5納米級精細結構的分辨率處理，適用于厚至10微米的光刻膠，側壁幾乎垂直，有助于開發電子和光子學領域研究芯片中的新結構。JEOL的另一款100kV EBL設備（JBX-A9）將用于支持更大批量的300毫米晶圓。
目前，JEOL的加速電壓直寫電子束光刻系統（JEOL JBX-8100 G3）已安裝在南安普頓大學蒙巴頓綜合大樓內一個專門建造的820平方米潔凈室內。
英國科學部長帕特里克·瓦蘭斯勛爵表示：“英國是世界上一些最令人興奮的半導體研究的所在地，南安普敦的新電子束設施極大地提升了我們的國家能力。通過投資基礎設施和人才，我們為研究人員和創新者提供了在英國開發下一代芯片所需的支持。”
南安普頓大學馬丁·查爾頓教授表示：“我們非常榮幸成為日本以外首個擁有這套新一代200千伏電子束光刻系統的機構。南安普頓大學在電子束光刻領域擁有超過30年的經驗。這將有助于推動量子計算、硅光子學和下一代電子系統領域的發展。這套設備與我們現有的微加工設備套件相得益彰，使我們能夠研發和生產各種用于電子、光子學和生物納米技術的集成納米級器件。”
Graham Reed 教授補充道：“新電子束設施的引入將加強我們在英國學術界擁有最先進的潔凈室的地位。它促進了大量創新和工業相關的研究，以及急需的半導體技能培訓。”