芯片關(guān)稅可能在 6 月下旬受到打擊：對晶圓廠建設(shè)成本和臺(tái)積電有什么影響？

美國商務(wù)部關(guān)于擬議半導(dǎo)體關(guān)稅的公眾意見征詢期已于 5 月 7 日結(jié)束。值得注意的是，據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，SK 海力士和惠普等主要參與者已經(jīng)參與其中。報(bào)告補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)本周將發(fā)布總結(jié)報(bào)告，該行業(yè)現(xiàn)在正在為最早可能在 6 月下旬開始實(shí)施的關(guān)稅做準(zhǔn)備。

由于關(guān)稅對半導(dǎo)體生產(chǎn)成本的影響一直是討論的關(guān)鍵話題，該報(bào)告援引半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) （SIA） 的話警告說，半導(dǎo)體制造投入的關(guān)稅稅率增加 1% 可能會(huì)使建造晶圓廠的總成本增加 0.64%。

正如《商業(yè)時(shí)報(bào)》所強(qiáng)調(diào)的那樣，在 10% 的關(guān)稅情景下，臺(tái)積電需要額外投資 64 億美元才能實(shí)現(xiàn)其最初的 1000 億美元目標(biāo)。

SIA 還強(qiáng)調(diào)，在美國建造和運(yùn)營晶圓廠的成本已經(jīng)比亞洲高 30-50%。《商業(yè)時(shí)報(bào)》指出，設(shè)備和材料的關(guān)稅將進(jìn)一步擴(kuò)大這一差距。

同時(shí)，該報(bào)告指出，根據(jù) SIA 的數(shù)據(jù)，芯片價(jià)格每上漲 1 美元，包含半導(dǎo)體的最終產(chǎn)品需要上漲 3 美元才能維持現(xiàn)有的利潤率。

半導(dǎo)體關(guān)稅的潛在影響

正如報(bào)告中提到的，行業(yè)消息人士認(rèn)為，成熟節(jié)點(diǎn)芯片將受到最大影響。相比之下，使用先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造的芯片可能受到分階段關(guān)稅或關(guān)稅稅率配額 （TRQ） 系統(tǒng)的約束，從而允許實(shí)施與美國產(chǎn)能的提高保持一致。

正如報(bào)告所指出的，成熟節(jié)點(diǎn)芯片占全球產(chǎn)量的 80% 以上，但僅產(chǎn)生約 40% 的收入。然而，這些芯片支持價(jià)值超過 10.8 萬億美元的下游行業(yè)，使半導(dǎo)體關(guān)稅成為全球科技生態(tài)系統(tǒng)中最具顛覆性的力量之一。

商業(yè)時(shí)報(bào)稱，特朗普可能會(huì)對進(jìn)口芯片征收高額關(guān)稅，據(jù)報(bào)道稅率從 25% 到 100% 不等。報(bào)告中引用的分析師認(rèn)為，關(guān)稅可能基于“晶圓輸出”地點(diǎn)，即芯片的物理制造地點(diǎn)。