英特爾18A節點SRAM密度與臺積電持平 背面功率傳輸是一大優勢

英特爾在國際固態電路會議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結合，是英特爾節點的核心。

該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進展，實現了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進，縮小到 0.021 μm2。這些進步分別代表了 0.77 和 0.88 的縮放因子，這是 SRAM 技術的重大成就，曾被認為是通過縮放優勢實現的。

實施 PowerVia 技術是英特爾解決處理器邏輯區域電壓下降和干擾的首選方法。英特爾采用“環繞陣列”方案，戰略性地將 PowerVias 應用于 I/O、控制和解碼器元件，同時優化了無正面電源的位單元設計。

英特爾 18A 實現的 38.1 MBit/mm2 宏位密度使該公司處于強大的競爭地位。雖然臺積電報告的數字與 N2 工藝相當，但英特爾采用 18A 的綜合方案（結合 PowerVia 和 GAA 晶體管）可能會挑戰三星和臺積電，其長期目標是爭奪臺積電目前服務的優質客戶，包括 NVIDIA、Apple 和 AMD 等巨頭。