SK海力士與臺積電攜手加強HBM技術領導力

·雙方就HBM4研發和下一代封裝技術合作簽署諒解備忘錄

·通過采用臺積電的先進制程工藝，提升HBM4產品性能

·“以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方合作的方式，突破面向AI應用的存儲器性能極限”

2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術，將與臺積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與臺積電合作開發預計在2026年投產的HBM4，即第六代HBM產品。

SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業臺積電攜手合作，將會繼續引領HBM技術創新。通過以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方技術合作的方式，公司將實現存儲器產品性能的新突破。”

兩家公司將首先致力于針對搭載于HBM封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，并通過TSV技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。

SK海力士以往的HBM產品，包括HBM3E（第五代HBM產品）都是基于公司自身制程工藝制造了基礎裸片，但從HBM4產品開始計劃采用臺積電的先進邏輯（Logic）工藝。若在基礎裸片采用超細微工藝可以增加更多的功能。由此，公司計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定制化（Customized）HBM產品。

與此同時，雙方將協力優化SK海力士的HBM產品和臺積電的CoWoS**技術融合，共同應對HBM相關客戶的要求。

SK海力士AI Infra擔當社長金柱善表示：“通過與臺積電的合作伙伴關系，公司不僅將開發出最高性能的HBM4，還將積極拓展與全球客戶的開放性合作（Open Collaboration）。今后，公司將提升客戶定制化存儲器平臺（Custom Memory Platform）的競爭力，以鞏固公司‘面向AI的存儲器全方位供應商’的地位。”

臺積電業務開發和海外營運辦公室資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示：“多年來，臺積電與SK海力士已經建立了穩固的合作伙伴關系。通過與此融合了最先進的邏輯工藝和HBM產品，向市場提供了全球領先的AI解決方案。展望新一代HBM4，我們相信兩家公司也通過密切合作提供最佳的整合產品，為我們的共同客戶開展新的AI創新成為關鍵推動力。”

* 硅通孔（TSV，Through Silicon Via）：在DRAM芯片打上數千個細微的孔，并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術。

** CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）：臺積電獨有的制程工藝，是一種在稱為硅中階層（Interposer）的特殊基板上搭載并連接GPU、xPU等邏輯芯片和HBM的封裝方式。其技術在2D封裝基板上集成邏輯芯片和垂直堆疊（3D）的HBM，并整合成一個模組，因此也被稱為2.5D封裝技術 。