拼命追趕還是慘輸臺積電 三星3納米最新良率曝光

臺積電的先進制程技術遙遙領先其他競爭對手，也獲得全球大客戶肯定。不過南韓三星電子仍努力追趕，想要分一杯羹。據最新爆料，三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后臺積電。

科技網站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平臺X（前身為推特）的發文報導，三星的3納米制程良率一開始雖然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。

盡管三星如今3納米制程良率已達30~60%之間，但Revegnus直言，相較于使用FinFET制程的臺積電，三星的良率數據依然偏低。不過三星對于第二代3納米制程寄予厚望，據傳其效能、功耗及面積（Performance、Power、Area；PPA）相當于臺積電的N3P。

Revegnus還表示，據消息人士透露，三星3納米制程的能源效率、邏輯區域，都較4納米4納米FinFET改善20～30%。

[Exclusive] Samsung's 3nm Yield-related News

Currently, Samsung's 3nm yield, which initially hovered around 10-20%, has recently improved by over threefold.

Of course, this figure remains lower compared to TSMC, which still utilizes FinFET technology.

However, Samsung has high…

— Revegnus (@Tech_Reve) March 22, 2024

不過Wccftech在報導中直言，隨著臺積電今年積極將3納米晶圓產能擴大到每月約10萬片的規模，三星幾乎沒有機會趕上，「在過去的幾年里，這家臺灣半導體巨頭（臺積電）在這個領域幾乎看不到競爭」。

報導中指出，三星必須將良率進一步提高70%，才能重拾高通等先前客戶的信心。不過到目前為止，三星的3納米GAA芯片只有加密挖礦行業客戶的訂單，并沒有加入更多其他客戶。很可能是因為許多公司對三星的早期樣品印象不佳，因此決定在可預見的未來繼續使用臺積電。三星雖仍致力于做出調整，但要對其代工勁敵臺積電構成威脅還需要一段時間。