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        先進制程之戰:三星/英特爾/臺積電動態跟蹤

        作者: 時間:2023-10-27 來源:全球半導體觀察 收藏

        近期,電子旗下晶圓代工事業Samsung Foundry 透露,已開始跟大型芯片客戶接洽,準備提供1.4nm及2nm制程的服務。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202310/452189.htm

        據朝鮮日報報道,對于率先量產3nm(環繞式閘極,gate-all-around,GAA)制程、大客戶方面卻不如的言論,Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae近日在韓國國際會議暨展示中心(COEX)舉行的2023年半導體博覽會(Semiconductor Expo 2023)表示,晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。正在跟大客戶接洽,可能在未來幾年展現成果。

        Jeong表示,GAA制程是一種可以延續到未來的技術,鰭式場效電晶體(FinFET)制程則無法更加精進,公司已在跟大客戶討論2nm、1.4nm等未來制程。

        晶圓代工進展如何?

        相較于成熟制程,更適用于追求高性能、低功耗的領域。隨著AI、高性能計算等新興技術的驅動下,需求持續增長,半導體巨頭們執迷追求新技術研發,芯片先進制程已從5nm、4nm、發展至3nm,未來還有可能到達2nm、1.4nm。

        從當前大廠研發進度看,三星已量產第二代3nm芯片,并計劃2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程;

        預計N3P將于2024年下半年投產,N3X、2nm工藝計劃2025年進入量產階段。介紹,公司將在2nm制程節點首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,相較于N3E ,該工藝在相同功耗下,速度最快將可增加至15% ;在相同速度下,功耗最多可降低30% ,同時芯片密度增加大于15% 。

        正努力推進“四年五個制程節點”計劃,目前其Intel 7和Intel 4已實現大規模量產;Intel 3制程預計在今年下半年可進入準備量產階段,后續Intel 20A與18A制程則分別計劃于2024年上、下半年也進入準備量產階段。

        此外,業界認為,可能在接下來的短期內,在先進制程晶圓代工領域會以Intel 3制程為主打,以應對臺積電、三星等業者的競爭。



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