泛林集團、Entegris 和 Gelest 攜手推進 EUV 干膜光刻膠技術的生態系統

泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰略合作，將為全球半導體制造商提供可靠的前體化學品，用于下一代半導體生產所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創新技術。三方將合作對未來幾代邏輯和 DRAM 器件生產所使用的 EUV 干膜光刻膠技術進行研發，這將有助于從機器學習和人工智能到移動設備所有這些技術的實現。

強大的工藝化學品供應鏈對于 EUV 干膜光刻膠技術運用到量產至關重要。這一新的長期合作將進一步擴大干膜光刻膠技術不斷發展的生態系統，由半導體材料領先者提供雙源供應，保障全球所有市場的持續供應。

此外，泛林、Entegris 和 Gelest 還將攜手合作，加快開發未來用于高數值孔徑（高 NA）EUV 圖形化的高性價比 EUV 干膜光刻膠解決方案。高 NA EUV 被廣泛認為是未來幾十年半導體器件持續微縮和發展所需要的圖形化技術。干膜光刻膠能實現高抗刻蝕性及沉積和顯影所需的可調厚度比例，以支持高 NA EUV 降低焦深的要求。

泛林集團執行副總裁兼首席技術官 Rick Gottscho 表示：“干膜光刻膠技術結合 EUV 為將來 DRAM 和邏輯的發展掃清了最大障礙。此次合作將泛林在干膜光刻膠技術領域的專業知識、尖端解決方案與材料科學能力和來自兩個前體化學品行業領導者帶來的值得信賴的供應渠道結合在一起。這一干膜光刻膠生態系統的重要擴展為該技術的創新和量產鋪平了道路。”

干膜光刻膠最初由泛林與 ASML 和 IMEC合作開發，提升了 EUV 光刻的分辨率、生產率和良率，從而解決了與下一代 DRAM 和邏輯技術相關的關鍵挑戰。該技術提供出色的劑量-尺寸比和劑量-缺陷率性能，從而提高了 EUV 掃描儀的生產率并降低持有成本。此外，與傳統抗蝕劑工藝相比，泛林的干膜光刻膠工藝消耗的能源更少，原材料消耗量比之前要少五到十倍，從而提供了關鍵的可持續發展優勢。

Entegris首席執行官 Bertrand Loy 表示：“泛林的干膜光刻膠技術反映了材料層面的關鍵創新，并且提供多項優勢，包括分辨率更佳、成本效益更高以及具吸引力的可持續發展效益。我們很自豪能夠參與這項創新合作，以加速干膜光刻膠技術的采用，并在客戶運用這項重要技術創造下一代半導體之際，成為他們值得信賴的工藝材料供應商。”

三菱化學集團旗下 Gelest 總裁 Jonathan Goff 表示：“我們與泛林和 Entegris 合作開發 EUV 光刻所使用的干膜光刻膠，這表明我們致力于支持芯片制造商在材料科學領域的創新。近年來，我們已經看到 EUV 展現出了非凡的價值，我們很高興成為不斷發展的生態系統的一部分，以擴大其潛力。”