- 摘要隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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泛林集團 DRAM
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產，而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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NAND 閃存 泛林集團
- 近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產品，這是業界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰。隨著半導體芯片關鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復雜，在硅晶圓上構建納米級器件需要數百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側沉積一層專有的保護膜，有助于防止在先進半導體制造過程中經常發生的缺陷和損壞。這一強大的保護技術提高了良率，并使芯片制造商能夠實施新的前沿工藝來生產下一代芯片。Coron
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泛林集團 晶圓邊緣沉積 芯片良率
- 泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰略合作，將為全球半導體制造商提供可靠的前體化學品，用于下一代半導體生產所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創新技術。三方將合作對未來幾代邏輯和 DRAM 器件生產所使用的 EUV 干膜光刻膠技術進行研發，這將有助于從機器學習和人工智能到移動設備所有這些技術的實現。? ? ? ? ? ? ?
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泛林集團 EUV 干膜光刻膠
- 日前，半導體行業中率先主動設定凈零排放目標的公司之一泛林集團 (NASDAQ: LRCX) 自豪地發布了其《2021 年環境、社會和公司治理 (ESG) 報告》。這是泛林集團第八年發布該報告，其中著重介紹了公司開展的環保活動以及如何促進半導體生態系統的可持續性。在報告中，泛林集團體現了 “為創造更美好的世界而努力” 的承諾，并介紹了其社會影響框架，該框架旨在促進社區的積極變化，激勵和教育未來的創新者，以及建立一個更具包容性的社會。泛林集團總裁兼首席執行官 Tim Archer 表示：“當我們通過技術改變世
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泛林集團 凈零排放
- 上?！?近日，全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學習等應用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設備EOS? GS，泛林集團進一步拓展了其應力管理產品組合。泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術的持續發展高深寬比沉積和刻蝕工藝是實現3D NAND技術持續發展的關鍵因素。隨著工藝層數的增加，其累積的物理應力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中
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泛林集團 晶圓應力管理解決方案 3D NAND技術
- 上海 —— 近日，全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布其自維護設備創下半導體行業工藝流程生產率的新標桿。通過與領先半導體制造商合作，泛林集團成功實現了刻蝕工藝平臺全年無間斷運行。在當今半導體工藝環境中，平均清洗間隔時間是限制刻蝕系統生產率提高的主要因素。為了保持穩定的性能，通常需要每月、甚至每周清洗刻蝕工藝腔室，并更換被等離子體工藝腐蝕的部件。2019 年 4 月，泛林集團與客戶攜手達成了一項宏偉目標，實現設備在無需維護清洗的情況下連續運行 365 天，創下里程碑式紀錄。泛林集團自維護設備創生
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泛林集團 無需維護清洗 里程碑式紀錄
- 我國的集成電路制造業正迎來大發展時代。世界芯片制造的現狀與未來方向如何?我國晶圓制造的特點是什么?近幾年人們常談論摩爾定律，擔憂是否會走到頭?電子產品世界專訪泛林集團副總裁兼中國區總經理劉二壯博士，為大家分析了芯片制造中包括職稱和封裝、多重曝光與EUV光刻等產業與技術，并探討了國內市場發展狀況的看法。
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泛林集團 劉二壯 集成電路 201709
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