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        晶圓代工大亂斗,高端局只剩三星VS臺積電

        作者: 時間:2018-11-15 來源:Digitimes 收藏

          代工領域10nm已成分水嶺,隨著英特爾的10nm制程久攻不下,聯電和格芯相繼擱置7nm及以下先進制程的研發后,10nm以下的代工廠中只有在繼續與拼刺刀。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201811/394375.htm

          10nm以上的代工市場則繼續由、英特爾、格芯和分食,而大陸最大代工廠中芯國際目前的14nm已進入客戶導入階段,預計最快明年量產,屆時也會憑借14nm工藝進入晶圓代工的第二梯隊中去。

          務實的

          10nm以下的先進制程,臺積電和采取了不同的策略。

          在7nm技術路線的選擇上,臺積電務實地在第一代放棄EUV(極紫外光刻)技術,同時馬上整合扇出封裝技術提升可靠度,最終使得自己的進度超越三星,從而贏下包括華為、AMD、蘋果等一眾關鍵客戶。與之前的10nmFinFET制程相比,臺積電的7nmFinFET實現了1.6倍的邏輯密度和20%的速度提升,以及40%的功耗減少。

          在第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+),臺積電首次應用EUV,不過僅限四個非關鍵層,以降低風險、加速投產,也借此熟練掌握ASML的新式光刻機TwinscanNXE。相較于第一代7nmDUV,臺積電表示能將晶體管密度提升20%,同等頻率下功耗可降低6-12%。

          除了在市場上風生水起的7nm技術,臺積電的5nm工藝也已被提上日程,明年四月將進行風險性試產。臺積電指出,5nm制程光是人工與知識產權的授權費用,加起來的總合成本就高達2到2.5億美元

          激進的三星

          三星的策略是直入主題,搶進EUV技術加持的7nm。

          目前三星的7nmLPP(LowPowerPlus)制程已進入量產階段,并在工藝中成功應用極紫外光(EUV)微影技術。7nmLPP工藝相比上一代10nmFinFET的面積減少了40%,性能提升20%,耗電減少50%,消耗的掩膜也減少了20%,因此,采用三星7nm工藝的客戶可以減輕設計和費用方面的負擔。

          另外,位于韓國華城市的S3廠EUV產線已初步投產,三星計劃2020年將再新設一條EUV產線,以服務高需求客戶。預計三星的7nmLPP工藝的大規模投產會在明年下半年開始,而7nmEUV的加強版——6nm制程,計劃在2020年以后出現。

          難產的英特爾

          埋頭苦干的英特爾對于三星和臺積電的這場較量也只能望塵興嘆。

          英特爾10nm持續難產主要原因是過于堅持整合的模式,不同于對手選擇ARM架構,英特爾堅持利用制造能力創造更有效率的x86芯片。而在非通用處理器部分,英特爾GPU為Larrabee架構,一樣是基于x86的圖形芯片,但卻沒有考量到不同應用環境所需GPU的性能差異。

          盡管英特爾曾表示自己的10nm工藝遠超遠超友商臺積電和三星的7nm,但實際拿出的基于CannonLake的Corei3-8121U連核顯都沒有,同頻性能和能耗比甚至不如目前的14nm。



        關鍵詞: 晶圓 三星 臺積電

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