中國“芯”發展切勿企圖走“捷徑”

　　“如果不從日本進口原材料，中國的晶圓廠兩個星期就得停產。”在求是緣半導體組織的一次會議上，資深半導體行業專家莫大康先生從國內外半導體產業發展的現狀出發，詳細闡述了中國半導體產業發展的機遇與挑戰，并給出了他對中國半導體產業發展的建議。

　　半導體產業實現自主可控任重道遠

　　莫大康表示，從全球范圍觀察，由于半導體產業鏈冗長與復雜，目前世界上沒有那一個國家敢言“自主可控”。而中國處在一個特殊環境下提出產業需要自主可控是必須的，但是要實現這個目標確是任重道遠。中國半導體仍然非常弱小，在材料、設備、制造等各個環節全方位落后，相對而言設計和封測發展得稍好。

　　“這是丟人的一天”談到美國政府宣布對中興進行制裁，莫老激動起來。2016年3月8日，所有美系半導體企業(包括被動元器件企業)都接到通知，在獲得出口許可之前，不可以給中興供貨。

　　中興被限制進口元器件并非孤例，中芯國際進口設備也曾被限制，到現在美國還禁止英特爾向中國出口超級計算機芯片。美國之所以可以通過瓦圣納(WA)條約，把中國的系統廠商與芯片制造商玩弄于鼓掌之間，正是因為中國半導體產業過于弱小，無法支撐中國信息技術產業實現自主可控。

　　國家設定的半導體產業2020年目標是全行業銷售額9300億，2015年這個數據僅為3600億。簡單計算一下，這需要全行業今后5年的年復合增長率達到20%以上。

　　民營企業不應該擔負發展存儲器產業的責任

　　要實現這個目標，就必須要發展存儲器。中國在2014年進口DRAM 179億美元，占全球DRAM總銷售額的38%，NAND型閃存進口68億美元，占全球總銷售額的28.2%。存儲器向來是半導體產業的風向標，日韓半導體崛起就是從存儲器開始。由于存儲器不依賴于設計，不需要專門軟件支持，主要考驗的是工藝、產能與成品率，是典型的高投入高產出行業，如今正值工藝從2D向3D的轉換時期，如果中國在存儲器上站穩腳跟，才算踏出了實現自主可控的第一步。

　　包括武漢新芯、紫光與合肥力晶等均開始殺入存儲器市場。武漢新芯宣布總投資240億美元的存儲器工廠已經開始動工，媒體爆料紫光也制定了一個300億美元的投資計劃，其中大頭就是存儲器。國內投資存儲器的熱情不斷升溫，但莫老呼吁產業應該慎重對待存儲器產業的發展，中國發展存儲器也面臨著諸多困難。

　　首先是市場的壟斷趨勢越來越明顯，以DRAM為例，從1999年到現在，只有玩家不斷退出，不見有新來者進入市場;其次，中國沒有存儲器專利儲備，雖然武漢新芯宣布與飛索(Spansion)結盟，但飛索在3D NAND閃存專利上幾無建樹;第三，市場落后者要能夠忍受長期的虧損，從2001年至2010年，全球內存芯片產業總利潤為80億美元，扣除三星與海力士的利潤以后，其他公司總共虧損近130億美元。

　　“但這就像馬拉松，我們一定要先參與進來，”莫大康表示，雖然面臨諸多困難，但存儲器這個游戲一定要參與進來，利用日本與臺灣地區的工藝技術加上大陸的資金，通過研發高度定制化的存儲器產品，或許可以求得一席之地。

　　不過，莫老對于紫光在存儲器方面的投資并不看好。“可能有開局，但不會有結尾，這是我的個人看法。紫光可能不應該擔負存儲器發展的責任。”

　　非市場化因素太多將干擾產業正常發展

　　在為更好的產業環境感到欣慰時，根據以往的經驗教訓，莫大康警示：如果在產業發展過程中出現太多非市場化因素，將極大的影響半導體產業的發展。

　　他舉了中芯國際的例子，在2000年至2005年器件，中芯國際發展非常迅速，2000年9月工廠動工，2004年銷售額就達到了10億美元，在紐約、香港兩地上市，后來建成了大陸第一條12英寸生產線。

　　當時中芯國際與臺積電的工藝差距不到1年，但當更多非市場化因素影響到中芯國際的發展以后，中芯國際經歷了很長時間虧損，只是近三年才擺脫困境，逐漸又回到了正軌，但與臺積電的差距已經被拉到了兩代以上。客觀地分析，中國進步也不小，但是臺積電跑得實在太快。

　　莫大康認為，在國家政策的重視與支持之下，半導體投資環境大大改善，要堅持市場化運作，避免沖動式發展，尤其要注重技術的發展與積累。

　　莫大康認為要實現自主可控的目標，就需要把技術落實到自己手中。