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        臺積電16nm OIP 3套參考流程確立

        作者: 時間:2013-09-22 來源:鉅亨網(wǎng) 收藏

          宣布16奈米OIP3套全新參考設(shè)計流程確立。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/170097.htm

          17日宣布,在開放創(chuàng)新平臺(OIP)架構(gòu)下成功推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程,協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET系統(tǒng)單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設(shè)計;同時更可提供客戶即時靈活、創(chuàng)新、客制化的設(shè)計生態(tài)環(huán)境進(jìn)而提升未來行動與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能。

          16奈米制程開發(fā)馬不停蹄,自今年4月與ARM共同宣布,完成首件采用16奈米FinFET制程ARMCortex-A57處理器設(shè)計定案能進(jìn)一步提升未來行動與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能,包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運(yùn)算應(yīng)用的產(chǎn)品后,今天再度宣布推出16奈米的3套全新參考流程。臺積電表示,電子設(shè)計自動化領(lǐng)導(dǎo)廠商與該公司已透過多種晶片測試載具合作開發(fā)并完成這些參考流程的驗(yàn)證。

          臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指出,這些參考流程讓設(shè)計人員能夠立即采用臺積公司的16FinFET制程技術(shù)進(jìn)行設(shè)計,并且為發(fā)展穿透電晶體堆疊(TTS)技術(shù)的三維積體電路鋪路。對于臺積電及其開放創(chuàng)新平臺設(shè)計生態(tài)環(huán)境夥伴而言,及早并完整地提供客戶先進(jìn)的矽晶片與生產(chǎn)技術(shù)著實(shí)是一項(xiàng)重大的里程碑。

          臺積電16FinFET數(shù)位參考流程使用ARMCortexTM-A15多核心處理器做為驗(yàn)證載具,協(xié)助設(shè)計人員采用此項(xiàng)新技術(shù)克服與FinFET結(jié)構(gòu)相關(guān)的挑戰(zhàn),包括復(fù)雜的三維電阻電容模型(3DRCModeling)與量化元件寬度(QuantizedDeviceWidth)。

          臺積電16FinFET客制化設(shè)計參考流程藉由解決在16FinFET制程下復(fù)雜度提升的挑戰(zhàn)來協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)客制化設(shè)計,并提供符合16奈米制造及可靠性之設(shè)計法則。



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