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        臺積電10納米 競爭壓力大

        —— 臺積電的10納米預計2017年量產較英特爾晚兩年
        作者: 時間:2013-05-27 來源:經濟日報 收藏

          半導體巨擘英特爾發布最新的先進制程技術藍圖,其中眾所關注的預計2015年量產,比原先規劃時間提早一年,并進一步拉大領先(2330)的時間。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/145687.htm

          預計2017年量產,較英特爾晚兩年。半導體業界人士表示,雖然英特爾技術不斷超前,是因應處理器速度的需求,但英特爾已在晶圓代工正式卡位,一旦在2015年量產,對仍有潛在的競爭壓力。

          臺積電日前一度因為美國寬松貨幣政策傳出退場,跌破108元月線區,昨天股價收盤小漲1.5元,收在109.5元,股價獲得支撐。

          英特爾副總經理兼元件研究處長麥克(Mike Mayberry)在剛剛落幕的比利時微電子研究機構IMEC2013科技論壇演講中確認,英特爾已確定10納米可于2015年量產。

          根據最新技術藍圖,英特爾重申繼續執行「Tick-Tock」發展策略,也就是每兩年將對半導體技術制程進行大規模升級。英特爾預計2014年導入14納米制程,2015年導入10奈足制程,并計劃于2017年抵達7納米的極先進水平。

          不過,麥克(Mike Mayberry)表示,英特爾也在研發10納米以下替代矽的半導體材料,如3-D晶體管、三五族復合半導等,只希望能將半導體性能發揮至極致,提升各類運算的應用需求。

          英特爾今年初因與臺積電大客戶阿爾特拉(Altera)簽署14 納米Finfet代工合約,被視為進軍晶圓代工的正式起跑點。

          臺積電共同營運長暨執行副總蔣尚義上月表示,臺積電以前與英特爾「河水不犯井水」,不過,隨著英特爾開始搶臺積電客戶的生意,臺積電先進制程技術發展將加速,希望在10納米全面趕上英特爾。

          臺積電預計16納米Finfet僅與20納米差距一年,于2015年推出,10納米計劃2017年導入量產,在英特爾技術不斷領先下,對臺積電形成挑戰。



        關鍵詞: 臺積電 10納米

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