羅姆開發出超低VF小型肖特基勢壘二極管

　　日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機等便攜設備開發出業界頂級的低VF小型肖特基勢壘二極管“RBE系列”。

　　本產品已經以月產500萬個的規模開始量產，隨著客戶采用的增加，從2012年9月份開始將產能擴充為每月1000萬個。　

 

　　此次，產品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過這些產品，將非常有助于便攜設備節省空間。

　　生產基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

　　近年來，智能手機等便攜設備的多功能化日益加速，對電池的長時間驅動需求強勁。降低耗電量成為首要課題，電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發展。為此，電源電路中采用的肖特基勢壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產品。但是，為了降低VF并且實現大電流化，需要增加芯片尺寸，因此很難滿足對“小型”的需求。

　　此次羅姆通過優化二極管的元件結構，大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產品相比，VF降低了約32%，實現了業界頂級的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向電流所產生的發熱，相同封裝也可確保大電流。

　　另外，由于確保了大電流，可以實現比以往封裝產品更加小型封裝的設計(在相同額定電流下相比)，最大安裝面積消減了約80%。

　　羅姆今后會不斷追求更加小型、低VF、大電流化，不斷完善滿足客戶需求的產品陣容。　　

 

　　<特點>
　　1) 小型封裝，確保大電流
　　業界頂級的低VF，以小型封裝可確保大電流。